1）作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體,GaN,SiC,ZnO的共同特點(diǎn)是它們的禁帶寬度在3.3到3.5eV之間,是Si的三倍,GaAs的兩倍.由于它們的一些特殊性質(zhì)和潛在應(yīng)用而備受關(guān)注。

　　2）GaN及其相關(guān)的固熔體合金可以實(shí)現(xiàn)帶隙1.9eV(InN)到6.2eV(AlN)連續(xù)可調(diào),是實(shí)現(xiàn)整個可見光波段和紫外光波段發(fā)光和制作短波長半導(dǎo)體激光器的理想材料。目前GaN材料的研制工作已取相當(dāng)成功，并進(jìn)入了實(shí)用化階段。一旦GaN在襯底等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域取得突破，其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程將會取得長足發(fā)展，有望在將來取代傳統(tǒng)的白熾燈,成為主要的照明工具。

　　3）SiC和ZnO體單晶不但具有優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)等性質(zhì),還具有其它材料無法比擬的優(yōu)勢——同質(zhì)外延,預(yù)計(jì)亮度將是GaNLED的10倍而價格和能耗則只有1/10。隨著對半導(dǎo)體材料性能的不斷探索,進(jìn)一步完善材料作用原理和器件工藝水平,碳化硅和氧化鋅會是將來紫光LED的主要材料。