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            EEPW首頁 > 光電顯示 > 設計應用 > 用于為長串LED提供高壓boost電流源的驅(qū)動方案

            用于為長串LED提供高壓boost電流源的驅(qū)動方案

            作者: 時間:2013-11-23 來源:網(wǎng)絡 收藏
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            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/222015.htm

            圖14中,LED串開路,MAX16834的過壓保護(OVP)電路在重新啟動之前將首先關斷驅(qū)動器400ms。因為輸出電容較小,電感儲能可能產(chǎn)生的過沖,因此采用了107V峰值電壓設置(高于83V設計值)。

            電路調(diào)整及其它輸入、輸出

            R15是線性數(shù)字電位器,可以在0A至1.7A之間任意調(diào)節(jié)LED電流。MAX16834具有一個輸入(SYNC),用于同步控制器的開關頻率。UVEN輸入允許外部控制驅(qū)動器(通/斷)。REFIN輸入端的低阻信號源可以優(yōu)先于電位器設置,控制驅(qū)動器電流。例如,微控制器經(jīng)過緩沖的DAC可以通過REFIN直接控制LED電流。出現(xiàn)故障(例如OVP)時,F(xiàn)LT#輸出低電平。一旦解除故障,信號變?yōu)楦唠娖?,該信號并不閉鎖。

            溫升

            測量效率為96.63% (VIN = 24.01V、I_IN = 1.49A、PIN = 115.49W、VLED = 74.9V、I_LED = 1.49A、POUT = 111.60W)。由于電路的頻率較高,驅(qū)動器元件并不發(fā)熱。溫度最高的元件為調(diào)光MOSFET Q4,溫升大約41°C。這一溫升是由于小尺寸PCB布局造成的,可以通過增大漏極附近的覆銅面積改善。電感尺寸較大,具有23°C的溫升,高于預期的7°C (圖15)。電感似乎吸收了部分MOSFET熱量,因為它們共用大面積覆銅焊盤。溫度測量

            以下溫度是在實際LED負載測試中得到的:

            VIN:24VDC

            Ambient:16°CΔT

            L1:39°C23°C

            D1:51°C35°C

            Q1:51°C35°C

            Q3:57°C41°C

            IC:33°C17°C

            上電步驟

            在LED+和LED-之間連接最多20只串聯(lián)LED,同時串聯(lián)安培表以測量電流(注:如果LED的正向?qū)妷和耆ヅ洳⑶?或者增加串聯(lián)均衡電阻,可以采用并聯(lián)架構)?! ≡赩IN和GND之間連接24V、6A電源。

            在連接器J2插入短路器。

            打開24V電源。

            調(diào)節(jié)R15將電流設置為0至1.5A。

            如果需要調(diào)光,則在DIM IN和GND之間連接PWM信號(0V至3.3V)。

            按照上述內(nèi)容調(diào)節(jié)PWM占空比,實現(xiàn)調(diào)光。


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            關鍵詞: 長串LED boost 電流源

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