在上一個帖子當(dāng)中我們見到了MOS管。下面我們來看一看用它完成的一個最簡單的設(shè)計。

　　看看上面這個電路。一只PMOS管和一只NMOS管串聯(lián)起來，共享門極輸入和漏極輸出。這樣的電路，即PMOS在上，NMOS在下被稱為互補MOS工藝，Complementary MOS，簡稱CMOS。在上面的圖片中使用的符號，S與D中間的箭頭表示的是當(dāng)這個類型的MOS管導(dǎo)通時底襯中的電子究竟是被吸引在底襯表面還是被排斥出底襯表面。

　　下面簡要的分析一下：

　　Ui->VDD NMOS 導(dǎo)通 Uo->0 (Pull-down)

　　Ui->0 PMOS 導(dǎo)通 Uo->VDD (Pull-up)

　　也就是說，我們僅僅用兩只管子就構(gòu)成了一個可以將輸入信號的電平反轉(zhuǎn)的電路。

　　這個電路叫做反相器。許多經(jīng)典的教科書在教授數(shù)字邏輯時都以它為例，我們也不例外。

　　進一步分析，我們發(fā)現(xiàn)這個反相器具有2個優(yōu)良的特性。

　　由于NMOS管的Source接在地上，所以當(dāng)Ui=VDD時NMOS保證導(dǎo)通，它可以將Uo的電平一直拉到地上;

　　由于PMOS管的Source接在VDD上，所以當(dāng)Ui=0是PMOS保證導(dǎo)通，他可以將Uo的電平一直拉到VDD。

　　更重要的是，只要是NMOS管和PMOS管組合起來就可以保證上面所說的輸出電平水平，而PMOS和NMOS的具體參數(shù)(比如說，溝道長寬比)不會產(chǎn)生影響。也就是說，我們得到了比例無關(guān)的邏輯。這是個非常棒的特性。

　　我們再來考慮反相器的電壓傳輸特性。顯然，上面關(guān)于電平值的分析是不完整的，因為當(dāng)輸入連續(xù)變化時輸出不可能跳變。看看下面這張圖片：

　　可以看到，CMOS反相器的電壓傳輸特性曲線中間部分非常陡峭。我們把Vout=Vin的點叫做反相器的閾值電壓。CMOS反相器的特性是，在閾值電壓附近輸出迅速完成了電平的切換，而在其他區(qū)域輸出電平幾乎不變。

　　數(shù)字電路的核心思想在于以電平表示邏輯。如果我們定義2~2.5V為‘1’，0~0.5V為‘0’，我們吃驚地發(fā)現(xiàn)當(dāng)在輸入為0~1.1V以及1.4V~2.5V時輸出電平全都落在我們的定義范圍內(nèi)，全部都是有意義的!也就是說，CMOS具有高噪聲容限。如果我們將輸入的電平相對于0、VDD這一對“標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平”的誤差，那么我們發(fā)現(xiàn)CMOS反相器可以壓縮誤差!

　　比例無關(guān)邏輯、高噪聲容限、壓縮誤差，還有后文中提到的靜態(tài)邏輯，這一切僅僅需要簡單地NMOS+PMOS就可以實現(xiàn)，你也許看出為什么現(xiàn)代的集成電路選擇CMOS工藝了吧?