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            從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-1

            作者: 時(shí)間:2014-02-18 來源:摘自《果殼小組》網(wǎng) 收藏

              在下面的兩個(gè)帖子當(dāng)中,我將簡短地介紹構(gòu)成的零件,一種晶體管。我將展示如何完成最簡單的設(shè)計(jì),這相當(dāng)于中的Hello world,并且略微提到Hello world的幾種變體。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/221712.htm

              為了防止下面的內(nèi)容顯得突兀,再鋪墊一點(diǎn)最最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體知識(shí)。

              是地殼中含量第二大的元素。

              湊巧的是,它處于金屬、非金屬分界線上。這也就是說,它的導(dǎo)電能力介于純粹的導(dǎo)體和純粹的絕緣體之間。

              最純凈的(純度超過99.9999%)略微導(dǎo)電,導(dǎo)電性主要受溫度控制。這就是本征半導(dǎo)體。

              有4個(gè)價(jià)電子。這就意味著,如果我們摻入3價(jià)元素,例如硼,就會(huì)有一個(gè)空穴;如果我們摻入5價(jià)元素,比如磷,就會(huì)多出一個(gè)價(jià)電子。也就是說,我們可以造出P型和N型半導(dǎo)體。其中P=positive,N=negative,說的是其中自由移動(dòng)的帶電粒子的電荷性。更加湊巧的是,摻雜的濃度可以控制其中帶電粒子的濃度(溫度的影響相對(duì)雜質(zhì)而言較小),進(jìn)而控制其電導(dǎo)率。

              將P性和N性的材料接觸便會(huì)形成PN結(jié)。我在此不會(huì)涉及PN結(jié)的詳細(xì)解釋,那需要用到能帶理論。僅僅知道PN結(jié)在P->N的足夠大的外電場(>0.7V典型值)下可以認(rèn)為短路,在N->P的外電場下可以認(rèn)為斷路就足夠了。

              現(xiàn)在我們有了可以自由控制硅片上某一區(qū)域?qū)щ娦缘姆椒?,還知道了怎樣制造一個(gè)最簡單的電流的單向閥——PN結(jié)。這兩個(gè)事實(shí)是一切半導(dǎo)體IC的基石。

              現(xiàn)在我們請(qǐng)出我們的磚瓦:為了給它一個(gè)隆重的登場,我另起一行,它就是:

              金屬——氧化物——半導(dǎo)體 場效應(yīng) 晶體管

              Metal - Oxide - Semiconductor Field-Effect Transistor

              肯定有不少人見到它的昵稱——FET,或者干脆簡稱管。

              下面發(fā)一張管的靚照:

              再來一張生理結(jié)構(gòu)圖

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            關(guān)鍵詞: CPU IC設(shè)計(jì) 單晶硅 MOS

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