Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET
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Vishay Intertechnology宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4.5V電壓下的導(dǎo)通電阻分別低至0.0016Ω和0.0020Ω，可提高移動電子設(shè)備的效率。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/221017.htmSi7157DP適用于筆記本電腦的電源管理中的負(fù)載和電池開關(guān)?，F(xiàn)在的設(shè)計(jì)師承受著讓這些器件更薄更輕的壓力，這意味著要減小電池尺寸，進(jìn)而縮短使用壽命。與此同時，圖形處理和Wi-Fi等功能又在增加對電池的使用，使得電源效率成為設(shè)計(jì)的首要目標(biāo)。
Si7157DP的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計(jì)者能夠在其電路里實(shí)現(xiàn)更低的壓降和傳導(dǎo)損耗，更有效地使用電能，并延長電池壽命，尤其是在峰值負(fù)載下，同時其小尺寸6.15mm x 5.15mm PowerPAK® SO-8封裝占位面積可節(jié)省寶貴的PCB空間。器件在峰值電流下的低壓降還提供了欠壓鎖定電平以上更大的電壓裕度，有助于防止在帶負(fù)載時下出現(xiàn)不希望的欠壓鎖定情況。
Si7157DP產(chǎn)品數(shù)據(jù)表鏈接地址：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121046。
Si7157DP進(jìn)行了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。像其他Vishay Siliconix P溝道Gen III MOSFET一樣，Si7157DP采用最先進(jìn)的工藝技術(shù)制造，把10億個晶體管元胞放進(jìn)1平方英寸的硅片里。
新款P溝道MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。
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