單片機(jī)取得按鍵值，從而判斷工作模式，具體測(cè)量不同類型由硬件或軟件選通相應(yīng)電路。
電阻：被測(cè)電阻與內(nèi)部已知電阻串聯(lián)，測(cè)其公共端電壓與兩電阻總電壓。
電容：采用被測(cè)電阻與內(nèi)部已知電阻構(gòu)成RC CMOS振蕩器，記錄其頻率通過C=l／πRf求得(C：電容值，R：電阻值，f：頻率值)。
電感：利用被測(cè)電感與內(nèi)部已知電容構(gòu)成LC振蕩電路，記錄其頻率通過求得(f：頻率值，L：電感值，C：電容值)。
頻率：將被測(cè)信號(hào)接入單片機(jī)單位時(shí)間內(nèi)脈沖個(gè)數(shù)，以計(jì)算頻率值f=m／t(f：頻率值，m：脈沖個(gè)數(shù)，t：時(shí)間)。
信號(hào)發(fā)生：采用DDS芯片AD9850芯片。通過單片機(jī)控制其頻率及相位。
數(shù)據(jù)儲(chǔ)存：采用24C04 E2PROM進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)調(diào)回。
2 電阻測(cè)量模塊
2．1 電阻測(cè)量模塊設(shè)計(jì)
如圖2所示，基于AD芯片PCF8591的4路8位AD中的一路。由于此為8位AD，被測(cè)電阻Rx與Ro之間有Ro／256Rx256Ro，隨本系統(tǒng)采用雙檔位的電阻測(cè)量。電路中R0有兩個(gè)值，R01=30kΩ其測(cè)量范圍為118Ω到7．68MΩ。Ro2=100 Ω其測(cè)量范圍為0．3 Ω到25．6kΩ。Q1、Q2完成大小量程自動(dòng)切換。