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            EEPW首頁(yè) > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方法

            一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方法

            作者: 時(shí)間:2012-03-01 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            由于市場(chǎng)對(duì)MCU功能的要求總是不斷變化和升級(jí),MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展,因此往往需要對(duì)最初的設(shè)計(jì)進(jìn)行修改。 MCU與以往OTP/MASK MCU相比,最大的優(yōu)點(diǎn)就在于可進(jìn)行高達(dá)上萬(wàn)次的擦寫操作,順應(yīng)了MCU功能不斷修改的需求;另一方面, MCU市場(chǎng)價(jià)格也在不斷下降。因此,許多OEM已將 MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對(duì)于Flash MCU,基于內(nèi)部Flash的器更接近于程序真實(shí)的運(yùn)行特性,程序調(diào)試的效果更好,效率更高。實(shí)際上,F(xiàn)lash MCU工作時(shí)Flash的延時(shí)、讀寫時(shí)充等特性是非常,程序存儲(chǔ)在MCU外部仿真板上的中,由額外的硬件邏輯來(lái)模擬Flash的這些特性是費(fèi)時(shí)低效的;同時(shí)將Flash和MCU內(nèi)嵌的其他類型存儲(chǔ)器如、ROM等區(qū)分開來(lái)也是十分重要的。如果在程序的調(diào)試階段就可以反映出這特性,有且于實(shí)現(xiàn)程序從仿真器到商用MCU芯片的無(wú)縫轉(zhuǎn)移。

            1 關(guān)于Flash MCU

            Flash MCU的構(gòu)成如圖1所示,主要由CPU核、Flash IP及其控制模塊、 IP及基控制模塊、WatchDog、PMU(Power Manage Unit,功耗管理單元)、I/O端口以及ISP在線編程接口等組成。不同功能的Flash MCU還包含一些各自獨(dú)特的應(yīng)用模塊單元,如用于尋呼的Flash MCU所包含的解碼模塊。對(duì)于用來(lái)構(gòu)成器的Flash MCU還可能包括仿真接口單元。本文在討論Flash MCU的時(shí),指的都是包含仿真接口的Flash MCU。

            Flash存儲(chǔ)器幾乎擁有現(xiàn)今追求個(gè)性化的用戶所需要的所有優(yōu)點(diǎn):掉電數(shù)據(jù)不丟失、快速的數(shù)據(jù)存取時(shí)間、電可擦除、容量大、在線(系統(tǒng))可編程、價(jià)格低廉以及足夠多的擦寫次數(shù)的高可靠性等,已成為新一代嵌入式應(yīng)用的首選存儲(chǔ)器。與Flash MCU相比,MASK(掩膜)MCU盡管在大指生產(chǎn)時(shí)仍具備一定價(jià)格優(yōu)勢(shì),但其升級(jí)不便的缺點(diǎn),隨著今后Flash成本的進(jìn)步降低和MCU功能需求的逐漸增多,將表現(xiàn)得更為顯著。

            2 基于外部SRAM的MCU在線仿真器

            MCU 仿真器的一種常見做法是,將用戶的待調(diào)試程序(以下簡(jiǎn)稱用戶程序)存儲(chǔ)在MCU外部仿真板的SRAM(以下簡(jiǎn)稱外部SRAM)中,在bond-out MCU的外部結(jié)構(gòu)仿真監(jiān)控硬件(以下簡(jiǎn)稱外部仿真邏輯),通過監(jiān)視和控制仿真接口信號(hào)即bond-out的信號(hào),來(lái)獲取MCU的狀態(tài),是指將MCU內(nèi)部的某種信號(hào)連接到封裝的管腳上,使得外部仿真邏輯可以監(jiān)視和控制MCU內(nèi)部的狀態(tài)。這種非商用芯片專用于構(gòu)成在線仿真器,當(dāng)用戶程序在仿真器中調(diào)試完成后,編程到商用MCU芯片中,應(yīng)用到用戶系統(tǒng)。在商用MCU中,這些仿真接口信號(hào)不會(huì)出現(xiàn)在芯片封裝的管腳上。

            在Flash MCU沒有被廣泛應(yīng)用之前,仿真器設(shè)計(jì)公司通常將用戶程序和監(jiān)控程序都存儲(chǔ)在外部SRAM中,這種做法基本上可以反映SRAM MCU真實(shí)的運(yùn)行情況,對(duì)用戶程序的調(diào)度效果影響不大。但是對(duì)于Flash MCU而言,則存在一定的問題。畢競(jìng)SRAM和Flash在工藝和讀寫時(shí)序上相去甚遠(yuǎn),CPU運(yùn)行存儲(chǔ)在SRAM和Flash中的程序,情況是完全不同的。有可能出現(xiàn)程序存儲(chǔ)的仿真器的外部SRAM中運(yùn)行良好,但是編程到商用MCU中工作起來(lái)卻不正常。隨著Flash MCU在 MCU市場(chǎng)中的比重越來(lái)越大,這一問題顯得越來(lái)越突出,有必要加以重視。

            本文介紹的Flash MCU仿真器的設(shè)計(jì)方法,幾乎不增加MCU的仿真接口信號(hào)和芯片設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度,就可以接近程序在商用MCU中的運(yùn)行情況,實(shí)現(xiàn)用戶程序從仿真器到商用MCU的良好轉(zhuǎn)移。

            3 基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器的一種設(shè)計(jì)方法

            圖2是Flash MCU仿真器系統(tǒng)構(gòu)成示意圖,其中的虛線接口信號(hào)是MCU的仿真接口,通常包括仿真使能信號(hào),bond-out MCU中的CPU的地址、數(shù)據(jù)、讀/寫和取指等信號(hào),以及少數(shù)幾個(gè)用于仿真的控制信號(hào)。仿真接口是Flash MCU與外部仿真邏輯之間的橋梁,使得外部仿真邏輯能夠監(jiān)控MCU的內(nèi)部狀態(tài)。


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