基于單片機的模擬開關時序設計與仿真
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模擬開關的電荷注入效應是影響該電路分辨率的主要因素。電荷注入效應機理主要有兩方面：一是由溝道電荷造成的，如圖2(a)所示，根據(jù)MOS器件的原理，當一個MOS管處于導通狀態(tài)時，SiO2-Si界面的反型層存儲一定電荷量，當開關斷開時，電荷通過源端和漏端流出，流入測量電路；二是由柵源間和柵漏間的寄生電容存儲的電荷釋放流入測量電路造成的[3-4], 如圖2(b)所示。由電荷注入效應引起的誤差遠大于被測量CX的值，引起電荷注入效應。
2 開關的電荷注入效應分析
電子開關控制時序設計圖如圖3所示。
首先斷開S3，電路只受S3的電荷注入效應影響。當開關S3斷開時，由于電荷注入效應，電荷將流向A1的輸出端和反相輸入端，流向A1輸出端的電荷產(chǎn)生的影響很小，僅引起輸出波形的瞬時微小失真，而流向A1反相輸入端的電荷對測量結(jié)果產(chǎn)生影響,但A4采用差動式設計較好地解決了這部分的影響。
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