1 負溫熱敏電阻 

PSB型負溫熱敏電阻由Co，Mn，Ni等過渡金屬元素的氧化物組成，經(jīng)高溫燒成半陶瓷，利用半導體毫微米的精密加工工藝，采用玻璃管封裝，耐溫性好，可靠性高，反應速度快、靈敏度高。他采用軸向型結(jié)構(gòu)，便于安裝，能承受更高溫度，且玻璃封裝耐高低溫(-50～350℃)。PT-25E2熱敏電阻溫度阻值變化曲線圖如圖1所示。
2 AVR單片機測溫原理
溫度測量電路如圖2所示，標準電阻Rp，熱敏電阻Rt，電容C1與AVR單片機三個引腳相連。其中PC0，PC1為一般普通IO引腳，CP1為捕獲觸發(fā)輸入引腳，可以設(shè)定上升沿觸發(fā)捕獲中斷。
Rp為100 kΩ的精密電阻；Rt為100 kΩ精度為1％的熱敏電阻；C1為0.1μF的瓷片電容。

其工作原理為：
先將PC0，PC1，CP1都設(shè)為低電平輸出，使C1完全放電。
接著將PC1，CP1設(shè)置為輸入狀態(tài)，PC0設(shè)為高電平輸出，通過Rp電阻對C1充電，同時啟動內(nèi)部定時器從零開始計時。電容實際充電曲線如圖3所示，當C1上的電壓逐步升高到Vh，CP1檢測出電壓達到單片機高電平輸入門檻電壓時，將定時器計數(shù)值捕獲，從而測出從開始充電到CP1轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降臅r間Tp。
再次將PC0，PC1，CP1都設(shè)為低電平輸出，使C1完全放電。
隨后將PC0，CP1設(shè)置為輸人狀態(tài)，PC1設(shè)為高電平輸出，通過Rt電阻對C1充電，過程同上，得到時間Tt。

通過單片機計算得到熱敏電阻Rt的阻值，并通過查表法可以得到溫度值。
從上述可以看出，該測溫電路的誤差來源于這幾個方面：單片機的定時器精度，精密電阻Rp的精度，熱敏電阻Rt的精度，而與單片機的輸出電壓值、門檻電壓值、電容精度無關(guān)。因此，適當選取熱敏電阻Rt和精密電阻Rp的精度，單片機的工作頻率夠高，就可以得到較好的測溫精度。
3 AVR捕獲
本文以AVR系列中高性價比的ATmage88為例，利用16位時鐘單元T／C1的捕獲中斷來實現(xiàn)電容充電時間的測量，單片機時鐘選擇8 MHz。輸入捕獲單元方框圖如圖4所示。當引腳ICP1上的邏輯電平(事件)發(fā)生了變化，并且這個電平變化為邊沿檢測器所證實，輸入捕捉被激發(fā)：16位的TCNT1數(shù)據(jù)被復制到輸入捕捉寄存器ICR1，同時輸入捕捉標志位ICF1置位。如果此時ICIE1為1，輸入捕捉標志將產(chǎn)生輸入捕獲中斷。
ATmega88在3.3 V供電時，當電容電壓上升到1.84 V時，如圖3所示，發(fā)生捕獲中斷。