(E) 低耗電:

　　當(dāng)?shù)竭_(dá)保護(hù)時(shí),其靜態(tài)耗電流必須要小(0.1uA)

　　(F) 零伏可充電:

　　有些電池在存放的過(guò)程中可能因?yàn)榉盘没虿徽５脑驅(qū)е码妷旱偷?V,故保護(hù)IC需要在0V也可以充電的動(dòng)作

　　保護(hù)IC功能未來(lái)發(fā)展

　　未來(lái)的發(fā)展將如前述，提高偵測(cè)電壓的精度、降低保護(hù)IC的耗電流及包裝、整合MOS 、提高誤動(dòng)作防止功能等，同時(shí)充電器連接端子的高耐壓化也是開(kāi)發(fā)的重點(diǎn)。

　　包裝方面,目前已由SOT23-6漸漸的朝向SON6,將來(lái)還有CSP的Package,甚至COB產(chǎn)品的出現(xiàn),用以滿足現(xiàn)在所強(qiáng)調(diào)的輕薄短小。

　　而保護(hù)IC也不是所有的功能都一定必須要用的,可根據(jù)不同的鋰電池材料開(kāi)發(fā)出單一保護(hù)(如:只有過(guò)充保護(hù)或過(guò)放保護(hù)功能),可大大的減少成本及空間,這對(duì)我們來(lái)說(shuō)可未嘗不是一件好事。

　　當(dāng)然，功能組件單晶化是一致的目標(biāo)，如目前行動(dòng)電話制造商都朝向?qū)⒈Ｗo(hù)IC、充電電路、電源管理IC等外圍電路集成單芯片，與邏輯IC構(gòu)成雙芯片的芯片組，但目前要使Power MOS的開(kāi)路阻抗降低，難以與其它IC合組，即使以特殊技術(shù)制成單芯片，恐怕成本將會(huì)過(guò)高，因此，保護(hù)IC的單晶化將需一段時(shí)間來(lái)解決。