用它做成的半橋;就成了這樣的一個(gè)電路：

　　空載開(kāi)關(guān)時(shí);電路變成這兩個(gè)工作模式：

　　上圖是高邊開(kāi)關(guān);低扁關(guān)斷狀態(tài)。下圖是低邊開(kāi)關(guān);高邊關(guān)斷狀態(tài)。兩個(gè)狀態(tài)組成一完整開(kāi)關(guān)周期。這個(gè)現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致半、全橋空載時(shí)發(fā)熱。它不僅發(fā)生在開(kāi)路狀態(tài);而且還會(huì)發(fā)生在容性負(fù)載和硬開(kāi)關(guān)電路里。適當(dāng)?shù)目刂啤伴_(kāi)”的速度;防制上下之通是必要的。

　　高端FET開(kāi)關(guān)狀態(tài)下;導(dǎo)通再關(guān)閉后，由于CDS1、CDS2的電容儲(chǔ)能，Q1關(guān)斷;輸出仍為+Vbus。此時(shí);Q1柵電壓為0V，但是;Q1并沒(méi)因此而承受電壓。即Q1是零電壓關(guān)斷;關(guān)斷過(guò)程;柵電壓沒(méi)有平臺(tái)!沒(méi)有彌勒效應(yīng)區(qū)!經(jīng)過(guò)一段死區(qū)時(shí)間后;低端FET導(dǎo)通，此時(shí)此刻;高端早已關(guān)斷的FET的D-S終于承受了電壓!雖然是空載;但在這過(guò)程中發(fā)生了一系列的電壓電流變化，看圖解!

　　高邊FET導(dǎo)通后;向Cds2充電/Cds1放電，輸出達(dá)到正電源電壓。FET關(guān)斷時(shí);由于電容無(wú)放電回路(Q2斷)，電容電壓保持不變，Q1零壓管斷(無(wú)彌勒效應(yīng))。Q1關(guān)后;仍由于電容做用而不承受電壓。

　　用正驅(qū)動(dòng)脈沖開(kāi)啟Q2，當(dāng)柵電壓達(dá)到門坎時(shí);Q2開(kāi)始通。Cds2短路放電;Cds1充電。顯然;Q2是硬開(kāi)通。Q1此時(shí)開(kāi)始實(shí)質(zhì)性承受電壓。由于Cdg1的充電;導(dǎo)致在Q1驅(qū)動(dòng)?xùn)烹娮枭袭a(chǎn)生電壓。當(dāng)感應(yīng)電壓達(dá)到門坎時(shí);Q1/Q2瞬間發(fā)生上下直通。

　　半個(gè)周期描述結(jié)束，在此思考下半個(gè)周期的工作過(guò)程。

　　低端的管子是硬開(kāi)通軟關(guān)斷;高端皆然。這里引用網(wǎng)友helen閘的實(shí)測(cè)波形，供大家討論。注意：“ON”是;有明顯的彌勒效應(yīng)平臺(tái)，“OFF”時(shí);沒(méi)有。(電源網(wǎng)原創(chuàng)轉(zhuǎn)載注明出處)