圖所示為IR功率MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。圖中每一個六角形是一個MOSFET的原胞（cell）。正因為原胞是六角形的（hexangular）,因而IR常把它稱為HEXFET。功率MOSFET通常由許多個MOSFET原胞組成。已風(fēng)行了十余年的IR第三代（Gen－3）HEXFET每平方厘米約有18萬個原胞，目前世界上密度最高的IR第八代（Gen－8）HEXFET每平方厘米已有1740萬個原胞。這就完全可以理解，現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的精細(xì)工藝已和微電子電路相當(dāng)。新一代功率器件的制造技術(shù)已進入亞微米時代。

圖1

圖中已標(biāo)明了漏（Drain）和源（Source）。漏源之間的電流通過一個溝道（Channel）上的柵（Gate）來控制。按MOSFET的原意，MOS代表金屬（Metal）－氧化物（Oxide）－半導(dǎo)體（Semiconductor），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）。FET（FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管）的名字也由此而來。然而我們從圖1中可以看到，HEXFET中的柵極并不是金屬做的，而是用多晶硅（Poly）來做柵極，這也就是圖中所注明的硅柵極（SiliconGate）。IR在1978年時是用金屬做柵極的，1979年的Gen－1HEXFET是世界上第一個采用多晶硅柵極的多原胞型功率MOSFET。