半導(dǎo)體BJT

作者：時(shí)間：2011-07-12 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

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BJT的結(jié)構(gòu)

BJT是雙極結(jié)型晶體管Bipolar Junction Transistor的簡(jiǎn)寫(xiě)，又稱(chēng)為半導(dǎo)體三極管。它有三個(gè)電極，常見(jiàn)的BJT外形如圖1所示，圖2是一種BJT的實(shí)物圖片。

共基直流電流放大系數(shù)為。 3．特征頻率fT：當(dāng)考慮BJT的結(jié)電容影響時(shí)，BJT的電流放大系數(shù)b 隨工作頻率f 的升高而下降。當(dāng)b下降為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)頻率為特征頻率fT。三、極限參數(shù) 1．集電極最大允許電流ICM ICM是指BJT的參數(shù)變化不超過(guò)允許值時(shí)集電極允許的最大電流。 2．集電極最大允許功率損耗PCM PCM表示集電結(jié)上允許損耗功率的最大值。超過(guò)此值就會(huì)使管子性能變壞或燒毀。 PCM= iCvCE 3．反向擊穿電壓 ① V（BR）EBO V（BR）EBO是指集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓。 ② V（BR）CBO V（BR）CBO是指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極-基極間的反向擊穿電壓。 ③ V（BR）CEO V（BR）CEO是指基極開(kāi)路時(shí)集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓。V（BR）CEO V（BR）CBO。各擊穿電壓大小之間有如下的關(guān)系： V（BR）CBO> V（BR）CES> V（BR）CER> V（BR）CEO <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=114&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a7a83b30' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=115&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a3d98779' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=116&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=abca108c' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=117&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a1775170' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=118&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a449048b' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=119&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=ae6854a5' border='0' alt='' /></a> 關(guān)鍵詞：模擬電路模擬芯片德州儀器放大器 ADI 模擬電子評(píng)論我來(lái)說(shuō)兩句…… 驗(yàn)證碼：相關(guān)推薦西門(mén)子新基站選擇德州儀器單片系統(tǒng)方案 hpnet \| 2002-10-05 利用功率放大器作為差動(dòng)放大器的電流控制方式電路設(shè)計(jì)方案利用功率放大器作為差動(dòng) 放大器電流控制方式電路 \| 2009-07-06 德州儀器Eureka DAB進(jìn)入數(shù)字廣播接收機(jī)市場(chǎng) hpnet \| 2002-06-26 低噪聲放大器的選用與電路設(shè)計(jì) 資源下載中國(guó)移動(dòng) 放大器選用電路設(shè)計(jì) 低噪聲 \| 2007-12-14 大幅提高48V至12V調(diào)節(jié)第一級(jí)的效率模擬技術(shù) 調(diào)節(jié)第一級(jí) 效率 ADI \| 2024-07-18 模擬信號(hào)處理視頻模擬/混合信號(hào)IC 模擬電路 \| 2009-02-18 模擬電子教學(xué)方法的改進(jìn) 視頻模擬/混合信號(hào)IC 模擬電路 \| 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共基直流電流放大系數(shù)為。

3．特征頻率fT：當(dāng)考慮BJT的結(jié)電容影響時(shí)，BJT的電流放大系數(shù)b 隨工作頻率f 的升高而下降。當(dāng)b下降為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)頻率為特征頻率fT。

三、極限參數(shù)

1．集電極最大允許電流ICM

ICM是指BJT的參數(shù)變化不超過(guò)允許值時(shí)集電極允許的最大電流。

2．集電極最大允許功率損耗PCM

PCM表示集電結(jié)上允許損耗功率的最大值。超過(guò)此值就會(huì)使管子性能變壞或燒毀。

PCM= iCvCE

3．反向擊穿電壓

① V（BR）EBO

V（BR）EBO是指集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓。

② V（BR）CBO

V（BR）CBO是指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極-基極間的反向擊穿電壓。

③ V（BR）CEO

V（BR）CEO是指基極開(kāi)路時(shí)集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓。V（BR）CEO V（BR）CBO。

各擊穿電壓大小之間有如下的關(guān)系：

V（BR）CBO> V（BR）CES> V（BR）CER> V（BR）CEO

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