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            隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

            作者: 時(shí)間:2011-07-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
            9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理

            9.3.2 RAM的存儲(chǔ)單元
            一、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的存儲(chǔ)單元電路
            1.存儲(chǔ)單元
            2.列選擇線(xiàn)Y和讀/寫(xiě)控制電路
            二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)的存儲(chǔ)單元電路

            9.3.3 集成隨機(jī)存儲(chǔ)器2114A、2116介紹
            一、集成靜態(tài)存儲(chǔ)器2114A
            二、集成動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器2116

            9.3.4 RAM的擴(kuò)展
            一、RAM的位擴(kuò)展
            二、RAM的字?jǐn)U展
            三、RAM的字、位擴(kuò)展

            9.3 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
            9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
            優(yōu)點(diǎn):讀寫(xiě)方便,使用靈活。
            缺點(diǎn):掉電丟失信息。


            一、 RAM的結(jié)構(gòu)和讀寫(xiě)原理

            9.3.2 RAM的存儲(chǔ)單元
            一、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的存儲(chǔ)單元電路

            1.存儲(chǔ)單元
            存儲(chǔ)單元由V1~V6組成。兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài),分別存儲(chǔ)數(shù)據(jù)1和0。
            2.列選擇線(xiàn)Y和讀/寫(xiě)控制電路
            圖中V5、 V6為受列選擇線(xiàn)Y控制的門(mén)控管,G4、G5和三態(tài)門(mén)G1~G3構(gòu)成讀/寫(xiě)控制電路。
            當(dāng)列選擇線(xiàn)為低電子0時(shí),V7、V8均截止,封鎖了存儲(chǔ)單元位線(xiàn)與輸入/輸出端的通路,使存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)不能讀出,也不能被外信號(hào)改寫(xiě)。當(dāng)列選線(xiàn)為高電平1時(shí),V7、V8導(dǎo)通,對(duì)存儲(chǔ)單元可進(jìn)行讀/寫(xiě)操作,由讀/寫(xiě)控制電路和的狀態(tài)控制
            二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)的存儲(chǔ)單元電路
            動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元是由MOS管的柵極電容C和門(mén)控管組成的。數(shù)據(jù)以電荷的形式存儲(chǔ)在柵極電容上,電容上的電壓高表示存儲(chǔ)數(shù)據(jù)1;電容沒(méi)有儲(chǔ)存電荷,電壓為0,表明存儲(chǔ)數(shù)據(jù)0。因存在漏電,使電容存儲(chǔ)的信息不能長(zhǎng)久保持,為防止信息丟失,就必須定時(shí)地給電容補(bǔ)充電荷,這種操作稱(chēng)為“刷新”,由于要不斷地刷新,所以稱(chēng)為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)。
            包括4管MOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元電路和單管MOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元等

            9.3.3 集成隨機(jī)存儲(chǔ)器2114A、2116介紹
            采用數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或PowerPoint
            一、集成靜態(tài)存儲(chǔ)器2114A


            Intel2114A是單片1 K×4位(即有1 K個(gè)字,每個(gè)字4位)的靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM),它是雙列直插18腳封裝器件,采用5V供電,與TTL電平完全兼容。

            二、集成動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器2116

            Intel 2116單片16 K×1位動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM),是典型的單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片。它是雙列直插16腳封裝器件,采用+12V和 5V三組電源供電,其邏輯電平與TTL兼容。

            9.3.4 RAM的擴(kuò)展 (采用數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或PowerPoint并進(jìn)行討論。)
            當(dāng)單片RAM不能滿(mǎn)足存儲(chǔ)容量的要求時(shí),這時(shí)可把多個(gè)單片RAM進(jìn)行組合,擴(kuò)展成大容量存儲(chǔ)器。
            一、RAM的位擴(kuò)展

            二、RAM的字?jǐn)U展
            字?jǐn)U展就是把幾片相同RAM的數(shù)據(jù)線(xiàn)并接在一起作為共用輸入輸出端(即位不變),讀/寫(xiě)控制線(xiàn)也接在一起,把地址線(xiàn)加以擴(kuò)展,用擴(kuò)展的地址線(xiàn)去控制各片RAM的片選線(xiàn) 。

            三、RAM的字、位擴(kuò)展
            當(dāng)RAM的位線(xiàn)和字線(xiàn)都需要擴(kuò)展時(shí),一般是先進(jìn)行位擴(kuò)展,然后再進(jìn)行字?jǐn)U展。


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