第3章 邏輯門電路
3. 1 概述
3. 2 分立元件門電路
3. 2. 1 二極管的開關(guān)特性
一、靜態(tài)開關(guān)特性及開關(guān)等效電路
二、動態(tài)開關(guān)特性

3. 2. 2 三極管的開關(guān)特性
一、靜態(tài)開關(guān)特性及開關(guān)等效電路
二、動態(tài)開關(guān)特性

3. 2. 3 二極管門電路
一、二極管與門電路
二、二極管或門電路

3. 2. 5 組合邏輯門電路
一、與非門電路
二、或非門電路

作業(yè)：P87 3.10

第3章 邏輯門電路
3. 1 概述
門電路——用以實現(xiàn)各種基本邏輯關(guān)系的電子電路
正邏輯——用1表示高電平、用0表示低電平的情況；
負(fù)邏輯——用0表示高電平、用1表示低電子的情況。

（此處用數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或PowerPoint）

二、動態(tài)開關(guān)特性 （PowerPoint）
在高速開關(guān)電路中，需要了解二極管導(dǎo)通與截止間的快速轉(zhuǎn)換過程。

當(dāng)輸入電壓UI 由正值UF 躍變?yōu)樨?fù)值UR 的瞬間，VD 并不能立刻截止，而是在外加反向電壓 UR作用下，產(chǎn)生了很大的反向電流IR ，這時 iD＝ IR≈- UR／R，經(jīng)一段時間 trr后二極管VD 才進(jìn)人截止?fàn)顟B(tài)，如圖3. 2. 3 (c) 所示。通常將trr 稱作反向恢復(fù)時間。
產(chǎn)生 trr的主要原因是由于二極管在正向?qū)〞r，P區(qū)的多數(shù)載流子空穴大量流入N區(qū)，N區(qū)的多數(shù)載流子電子大量流入P區(qū)，在P區(qū)和N區(qū)中分別存儲了大量的電子和空穴，統(tǒng)稱為存儲電荷。當(dāng)UI 由UF 躍變?yōu)樨?fù)值 UR時，上述存儲電荷不會立刻消失，在反向電壓的作用下形成了較大的反向電流 IR，隨著存儲電荷的不斷消散，反向電流 也隨之減少，最終二極管VD 轉(zhuǎn)為截止。
當(dāng)二極管VD 由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通時，在P區(qū)和N區(qū)中積累電荷所需的時間遠(yuǎn)比trr 小得多，故可以忽略。

3. 2. 2 三極管的開關(guān)特性

一、靜態(tài)開關(guān)特性及開關(guān)等效電路

3. 2. 3 二極管門電路

一、二極管與門電路

二、二極管或門電路

表3.2.3 或門輸入和輸出的邏輯電平 表3.2.4 或門的真值表

表3.2.5 非門的真值表

二、或非門電路

列出其真值表