電子顯微術可分為靜態(tài)式和掃描式。靜態(tài)式包括穿透式、反射式電鏡及低能電子顯
微鏡等。掃描式包括二次電子顯微鏡和歐杰電子顯微鏡等。

2.1 反射式電子顯微術(Reflection Electron Microscopy,REM)
穿透式電子顯微鏡是利用電子穿透樣品而產生繞射來成像，其圖像是樣品表面在其
法線方向的投影，并不帶有表面的訊息。而反射式電子顯微鏡是將高能電子束幾乎平行
樣品表面的角度入射，然后收集經表面小角度反射出來的電子束來成像。這是反射式和
穿透式電子顯微鏡最大的差別所在。另外由于反射式顯微術是應用平行式的取像法，不
像掃描是顯微術是用依序式取像法；其對圖像變化的捕捉，基本上只受記錄圖像時間的
限制，因此反射式顯微術對實時的表面動態(tài)現(xiàn)象觀測十分有幫助！

2.2 低能電子顯微術(Low Energy Electron Microscopy,LEEM)
低能電子顯微術和反射式電子顯微術不同處是在低能電子顯微術是利用低能量電
子垂直入射樣品表面。由于低能電子入射到一般樣品表面，均會被大量反射回來，所以
帶有很強的表面訊息，利用這些電子產生的繞射來成像將是非常好的方法。但LEEM 再
發(fā)展過程中有三個瓶頸﹕(1).需要將入射電子和成像電子分開，這問題目前是利用可以
有60 度偏轉功能的磁鏡來克服。(2).接物鏡的設計也是一大問題，因電子在經過接物
鏡時必須從幾十個keV 降到幾個eV，為了達到高分辨率，接物鏡和樣品表面的距離一
般只有2mm。(3).在使用LEEM 時所有使用的材料、組件，都必須維持在超高真空的
狀態(tài)下才行。

2.3 掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscopy,SEM)
SEM 主要包括兩部分，一為提供并聚集電子于標本上，產生訊息的主體，包含電
子槍、電磁透鏡、樣品室和真空系統(tǒng)。二為顯示影像的顯像系統(tǒng)(見圖十三)。
SEM 是利用收集樣品產生的二次電子來成像，而二次電子的能量大部分在50eV 以
下，所以這些電子都是在表面附近產生的。二次電子是入射電子經多次碰撞后而產生
的，不具原子的本征性質，但和逃離表面的功函數(shù)有密切關系。樣品表面功函數(shù)的變化
除了和組成元素有關，和區(qū)域結構也有很大的關系，這是為什么SEM 的圖像能反映表
面粗糙度的主因。

圖十三. SEM 裝置示意圖

2.4 掃描式歐杰電子顯微術(Scanning Auger Microscopy,SAM)
掃描是歐杰電子顯微術是結合掃描電子顯微鏡及歐杰電子能譜儀(ASE)而成的。
SAM 和SEM最大的不同之處在以Auger 電子取代二次電子為收集訊號。歐杰電子最早
為法國的皮爾歐杰 (Pierr Auger) 所發(fā)現(xiàn)，因此以其名稱之。當原子的內層電子受到外
來能量源的激發(fā)而脫離原子時，原子的外層電子將很快的遷降至內層電子的空穴并釋出
能量。所被釋出的能量可能以 X 光的形式釋出，或者此釋出的能量轉而激發(fā)另一外層
電子使其脫離原子，后者反應中被激發(fā)而脫離原子束縛離開試片表面的另一電子即為歐
杰電子，此電子同樣具有代表該原子特性的能量，因此分析歐杰電子亦可得材料成份的
信息。逃離出來的電子，一般約有小于2keV 的動能，在固體中運動時，最多可走
5nm，不因碰撞而損失能量。因此歐杰電子具有固態(tài)樣品組成原子的本征性質，可用來
判定原子的種類；另外，在樣品收集歐杰電子時，只有距離表面約5nm 之區(qū)域所產生
的歐杰電子可以被偵測到，所以它反應的是樣品表面幾層的原子成分性質。
由于歐杰電子產生率，加載射電子能量大于10keV 時衰減的很快，一般使用的能量
約小于5keV。加上歐杰電子產生率遠小于二次電子，必須使用更強的光源；但一旦使
用強光源，電子被聚焦的程度便大受影響，在光學上將造成技術上的困擾。因此，SAM
的分辨率沒有SEM 來的好。