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            LED芯片及封裝設計與生產(chǎn)動態(tài)

            作者: 時間:2011-11-03 來源:網(wǎng)絡 收藏

            產(chǎn)商Epistar展示了他們關(guān)于能讓冷白色(5000k)達到162Lm/W的高電壓的研究結(jié)果。

              該被描述為一個單片集成,直流多陣列的高電壓應用LED。 Epistar預計這個產(chǎn)品將成為普通照明的主流產(chǎn)品。

              通過20 mA的驅(qū)動電流和47V電壓達到162Lm/W的發(fā)光效率,相應的功耗為0.94W.在這些條件下,45-mil的芯片可以產(chǎn)生152Lm.

              Epistar說HV-LED相對于傳統(tǒng)LED有著低電力需求和更高的插座效率, 因為其強大的新高電壓芯片的設計。據(jù)公司稱, HV-LED對電壓和電流變化的靈活性可以簡化LED的包裝和電路設計,從而使整體效率提高。

              SMASH項目的進展

              SMASH項目公開發(fā)表了第二封信。SMASH的目標是通過建立破壞性的方式通過納米結(jié)構(gòu)的材料制造LED, 達到高效率和低成本的設備。這些目標會通過超低缺陷的納米結(jié)構(gòu)模板組成的LED的外延生長和基于納米棒發(fā)射的LED結(jié)構(gòu)的發(fā)展來完成。這些方法會對生產(chǎn)費用有很大的影響,因為它們允許大面積但是低成本的基板(比如說硅)的增長。

              最為關(guān)鍵的一個步驟是MOVPE的。這是由Osram Opto Semiconductor與布倫瑞克技術(shù)大學緊密合作而一起完成的。

              SMASH的網(wǎng)站和信都包含了一份2010年International Workshop on Nitride Semiconductors(2010年9月19-24)的總結(jié)。

              Verticle展示了第一款六角形的LED芯片

              Semiconductor Today上的一篇文章提到: 座落在美國加州都柏林的Verticle公司發(fā)表了他們稱作為第一款六角形的LED芯片。這種蜂窩型的LED芯片是豎向結(jié)構(gòu)的,以InGaN為基礎(chǔ)的藍色 LED芯片, 它們是特別為高壓應用制造的。CEO Mike(M.C.)說,和傳統(tǒng)的正方形或者長方形結(jié)構(gòu)的LED芯片相比,一個六角形的芯片在各個方面比如成本,光輸出效率和束流剖面都會獲得收益。

              住友電工開發(fā)出6英寸的GaN基板

              據(jù)日本的一本雜志上說,住友電工開發(fā)了世界上第一塊直徑為6英寸的應用在白色LED上的GaNg基板。 之前,該公司為藍紫色激光器生產(chǎn)2英寸的GaN基板, 這使藍光DVD播放機得以發(fā)明和生產(chǎn)。 住友電工開始大規(guī)模的生產(chǎn)為白色LED燈使用的2英寸GaN基板, 與此同時也在發(fā)展大直徑基板。

              這個新開發(fā)出來的6英寸基板的表面是一個一極化c面。住友電工現(xiàn)在正在努力的嘗試著大規(guī)模的生產(chǎn)它,并且希望這種材料能被白色LED燈和功率器件廣泛的使用。

              納米棒的陣列產(chǎn)生天然白色的LED

              據(jù)OptolQ上的一篇論文所述, 國立清華大學(臺灣新竹市)的研究員為無磷白色LED燈發(fā)明了一種新的配方。這種模式是把GaN納米棒排列在硅(Si)基板上,這為日益增長的無壓力 InGaN/GaN的異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米棒提供了一個模板,這項技術(shù)可以用來消除壓電極化效應。

              LED的包裝和組裝

              在MEPTEC半導體發(fā)展藍圖研討會(2010年10月份在圣克拉拉,加利福尼亞舉行)上, ElectrolQ采訪了TechSearch International的總裁Jan Vardaman.他說LED的包裝和組裝還有可發(fā)展的空間。

              在這場和Debra Vogler(一個資深的技術(shù)編輯)的采訪中,Vardaman 討論了藍寶石基板和SiC基板, 順帶著討論了一下LED生產(chǎn)商現(xiàn)在所使用的多種多樣的方法。 還討論了基板晶片的尺寸和LED的生產(chǎn)準則。

              藍色的半極化GaN LED

              來自于圣巴巴拉的加州大學(UCSB)和三菱化學株式會社(日本茨城縣)的研究人員們?yōu)橐缘墸℅aN)為基礎(chǔ)的藍色LED新開發(fā)了一項背面粗化技術(shù)。據(jù)OptolQ網(wǎng)站上的一篇論文聲稱, 這一技術(shù)使以氮化鎵(GaN)為基礎(chǔ)的藍色LED在性能和生產(chǎn)方法上可以和纖維鋅礦c平面LED相提并論



            關(guān)鍵詞: LED 芯片 封裝

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