LDMOS的性能概述

　　與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達(dá)60dB左右。這表明對(duì)于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。

　　LDMOS能經(jīng)受住高于雙極型晶體管3倍的駐波比，能在較高的反射功率下運(yùn)行而沒(méi)有破壞LDMOS設(shè)備;它較能承受輸入信號(hào)的過(guò)激勵(lì)和適合發(fā)射數(shù)字信號(hào)，因?yàn)樗懈呒?jí)的瞬時(shí)峰值功率。LDMOS增益曲線(xiàn)較平滑并且允許多載波數(shù)字信號(hào)放大且失真較小。LDMOS管有一個(gè)低且無(wú)變化的互調(diào)電平到飽和區(qū)，不像雙極型晶體管那樣互調(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變化。這種主要特性允許LDMOS晶體管執(zhí)行高于雙極型晶體管二倍的功率，且線(xiàn)性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系數(shù)是負(fù)數(shù)，因此可以防止熱耗散的影響。這種溫度穩(wěn)定性允許幅值變化只有0.1dB,而在有相同的輸入電平的情況下，雙極型晶體管幅值變化從0.5~0.6dB,且通常需要溫度補(bǔ)償電路。

　　LDMOS的制造工藝

　　LDMOS制造工藝結(jié)合了BPT和砷化鎵工藝。與標(biāo)準(zhǔn)MOS工藝不同的是，在器件封裝上，LDMOS沒(méi)有采用BeO氧化鈹隔離層，而是直接硬接在襯底上，導(dǎo)熱性能得到改善，提高了器件的耐高溫性，大大延長(zhǎng)了器件壽命。由于LDMOS管的負(fù)溫效應(yīng)，其漏電流在受熱時(shí)自動(dòng)均流，而不會(huì)象雙極型管的正溫度效應(yīng)在收集極電流局部形成熱點(diǎn)，從而管子不易損壞。所以L(fǎng)DMOS管大大加強(qiáng)了負(fù)載失配和過(guò)激勵(lì)的承受能力。同樣由于LDMOS管的自動(dòng)均流作用，其輸入-輸出特性曲線(xiàn)在1dB 壓縮點(diǎn)(大信號(hào)運(yùn)用的飽和區(qū)段)下彎較緩，所以動(dòng)態(tài)范圍變寬，有利于模擬和數(shù)字電視射頻信號(hào)放大。LDMOS在小信號(hào)放大時(shí)近似線(xiàn)性，幾乎沒(méi)有交調(diào)失真，很大程度簡(jiǎn)化了校正電路。MOS器件的直流柵極電流幾乎為零，偏置電路簡(jiǎn)單，無(wú)需復(fù)雜的帶正溫度補(bǔ)償?shù)挠性吹妥杩蛊秒娐贰?/P>

　　對(duì)LDMOS而言，外延層的厚度、摻雜濃度、漂移區(qū)的長(zhǎng)度是其最重要的特性參數(shù)。我們可以通過(guò)增加漂移區(qū)的長(zhǎng)度以提高擊穿電壓，但是這會(huì)增加芯片面積和導(dǎo)通電阻。高壓DMOS器件耐壓和導(dǎo)通電阻取決于外延層的濃度、厚度及漂移區(qū)長(zhǎng)度的折中選擇。因?yàn)槟蛪汉蛯?dǎo)通阻抗對(duì)于外延層的濃度和厚度的要求是矛盾的。高的擊穿電壓要求厚的輕摻雜外延層和長(zhǎng)的漂移區(qū)，而低的導(dǎo)通電阻則要求薄的重?fù)诫s外延層和短的漂移區(qū)，因此必須選擇最佳外延參數(shù)和漂移區(qū)長(zhǎng)度，以便在滿(mǎn)足一定的源漏擊穿電壓的前提下，得到最小的導(dǎo)通電阻。

　　LDMOS的優(yōu)勢(shì)

　　卓越的效率，可降低功率消耗與冷卻成本

　　卓越的線(xiàn)性度，可將信號(hào)預(yù)校正需求降到最低

　　優(yōu)化超低熱阻抗，可縮減放大器尺寸與冷卻需求并改善可靠度

　　卓越的尖峰功率能力，可帶來(lái)最少數(shù)據(jù)錯(cuò)誤率的高 3G 數(shù)據(jù)率

　　高功率密度，使用較少的晶體管封裝

　　超低感抗、回授電容與串流閘阻抗，目前可讓 LDMOS 晶體管在雙載子器件上提供 7 bB 的增益改善

　　直接源極接地，提升功率增益并免除 BeO 或 AIN 隔離物質(zhì)的需求

　　在 GHz 頻率下?lián)碛懈吖β试鲆妫瑤?lái)更少設(shè)計(jì)步驟、更簡(jiǎn)易更具成本效益的設(shè)計(jì) (采用低成本、低功率驅(qū)動(dòng)晶體管)