現(xiàn)代內(nèi)存芯片的編號識別

一、現(xiàn)代(HYUNDAI)公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標識格式如下（這里說的是2000年9月30日后的新版本HY內(nèi)存芯片）:

HY XX X XX X X X XX X -XX
① ②③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩

第1字段由HY組成，代表是現(xiàn)代(HYUNDAI)的產(chǎn)品。
第2字段代表產(chǎn)品類型：通常用57代表SDRAM。
第3字段代表電壓：通常用V代表SDRAM的額定電壓3.3V。
第4字段代表一個內(nèi)存芯片的密度和刷新速度：64代表64Mbit、4K刷新；65代表64Mbit、8K刷新；28代表128Mbit、4K刷新；56代表256Mbit、8K刷新。
第5字段代表數(shù)據(jù)帶寬： 4代表4bit，8代表8bit，16代表16bit，32代表32bit。
第6字段代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成：1代表2BANK；2代表4BANK。
第7字段代表電氣接口：0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
第8字段代表芯片修正版本：空白或H代表第1版，A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版，依此類推。
第9字段代表封裝方式：T代表TSOP；Q代表TQFP；I代表BLP；L代表CSP（LF-CSP）。
第10字段代表內(nèi)存芯片的速度：現(xiàn)代電子從2000年9月30日開始逐漸停止生產(chǎn)編號結(jié)尾采用數(shù)字的內(nèi)存芯片，如-10S、-7J、-75等等，而全面采用英文字母作為新的編號標識方式：H代表7.5ns（PC133 CL=3）； P代表10ns（PC100 CL=2）；S代表10ns（PC100 CL=3）。

例如內(nèi)存芯片標識為“HY57V28820HCT-H”（見圖1）指的是HY的128Mbit SDRAM內(nèi)存芯片，刷新為4K Ref，數(shù)據(jù)帶寬為8位，Bank為4，接口為LVTTL，芯片修正版本為第4版，速度是7.5ns（PC133 CL=3）。

二、現(xiàn)代DDR SDRAM內(nèi)存芯片的識別

現(xiàn)代(HYUNDAI)公司的DDR SDRAM內(nèi)存芯片上的標識格式如下：

HY XX X XX X X X X -XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨
第1字段由HY組成，代表是現(xiàn)代(HYUNDAI)的產(chǎn)品。
第2字段代表產(chǎn)品類型：通常用5D代表DDR SDRAM芯片。
第3字段代表電壓：通常用U代表DDR SDRAM的額定電壓2.5V。
第4字段代表一個內(nèi)存芯片的密度和刷新速度：64代表64Mbit、4K刷新；65代表64Mbit、8K刷新；28代表128Mbit、4K刷新；56代表256Mbit、8K刷新。
第5字段代表數(shù)據(jù)帶寬： 4代表4bit，8代表8bit，16代表16bit，32代表32bit。
第6字段代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成：1代表2BANK；2代表4BANK。
第7字段代表電氣接口：通常用2來表示184pin的DDR SDRAM接口。
第8字段代表封裝方式：T代表TSOP；Q代表TQFP；I代表BLP；L代表CSP（LF-CSP）。
第9字段代表內(nèi)存芯片的速度：K代表DDR266a；H代表DDR266b；L代表DDR200。
例如內(nèi)存芯片標識為“HY5DU28820HCT-H”（見圖2）指的是HY的128Mbit DDR SDRAM內(nèi)存芯片，刷新為4K Ref，數(shù)據(jù)帶寬為8位，Bank為4，封裝方式為TSOP，速度為DDR266a。

三、現(xiàn)代RDRAM內(nèi)存芯片的識別

現(xiàn)代(HYUNDAI)公司的RDRAM內(nèi)存芯片上的標識格式如下：

HY XX XXX XX X XX -X
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦

第1字段由HY組成，代表是現(xiàn)代(HYUNDAI)的產(chǎn)品。
第2字段代表產(chǎn)品類型：通常用5R代表RDRAM芯片。
第3字段代表一個內(nèi)存芯片的密度：128代表128Mbit；144代表144Mbit；256代表256Mbit；288代表288Mbit。
第4字段代表芯片修正版本：空白或H代表第1版，A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。
第5字段代表數(shù)據(jù)帶寬：4代表4bit，8代表8bit，16代表16bit，32代表32bit。
第6字段代表內(nèi)存芯片的速度標識：40代表40ns；45代表45ns；53代表53ns。
第7字段代表內(nèi)存芯片的工作頻率：6代表600MHz；7代表711MHz；8代表800MHz；1代表1066MHz。

例如內(nèi)存芯片標識為“HY5R128HC840-H”（見圖3）指的是HY的128Mbit RDRAM內(nèi)存芯片，芯片修正版本為第4版，數(shù)據(jù)帶寬為8位，速度為40ns，工作頻率為800MHz。