寬動態(tài)需要采用快速讀出的CMOS圖像傳感器。使用CCD圖像傳感器，使用者被限制使用連續(xù)1/60s或者2倍1/30s奇偶場合成。在寬動態(tài)的新技術(shù)里，使用者可以采用1/30s圖片的長曝光，使用1/30s圖片的短曝光，然后把這兩張圖片實(shí)時(shí)地進(jìn)行處理，從而獲得一張工業(yè)級別的寬動態(tài)范圍的圖像。

　　以下是圖示：

　　現(xiàn)在也有公司在開發(fā)不同的方法獲得HDR。其中有一種叫做動態(tài)響應(yīng)像素技術(shù)出現(xiàn)了，這種技術(shù)著重在圖像內(nèi)部的DR，即給每個(gè)像素點(diǎn)都加入了不同的感光度，這種像素點(diǎn)的原理是有一個(gè)很大的充電電容。

　　當(dāng)圖像在高亮的條件下，DCG開關(guān)開啟，連接到FD結(jié)點(diǎn)的物理電容。通過這種方法，F(xiàn)D結(jié)點(diǎn)的大容量電容使能LCG模式，即可以擎住大量的信號充電(不至于溢出)。在低照度的條件下,DCG開關(guān)關(guān)閉，斷開連接到FD結(jié)點(diǎn)的電容，使能HCG模式，即使用在像素內(nèi)部的額外的模擬增益。在種情況下，F(xiàn)D電容僅取決于FD的PN結(jié)電容和金屬互偶電容，此值會遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于物理電容結(jié)構(gòu)。更少的FD電容結(jié)果會提高轉(zhuǎn)換增益，提高感光度并減少讀取噪聲，以犧牲降低最大的充電擎住電容為代價(jià)。