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            EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 利用IBIS模型研究信號(hào)完整性問(wèn)題

            利用IBIS模型研究信號(hào)完整性問(wèn)題

            作者: 時(shí)間:2012-10-29 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            NG-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  發(fā)送器上升時(shí)間tRise和下降時(shí)間tFall(秒)

              接收機(jī)輸入電阻ZR (Ω)

              接收機(jī)引腳電容值CR_Pin (F)

              這些規(guī)范一般沒(méi)有在 IC 制造廠商的產(chǎn)品說(shuō)明書中。正如這篇文章將要講到的那樣,所有這些值均可以在設(shè)計(jì) PCB 和使用模型模擬 PCB 傳輸線跡的過(guò)程中,通過(guò) IC 的 模型獲得。

              利用下列參數(shù)定義傳輸線跡:

              特性阻抗Z0 (Ω)

              傳播延遲 D(ps/英寸)

              線跡傳播延遲tD (ps)

              線跡長(zhǎng)度 LENGTH(英寸)

              根據(jù)具體的 PCB 設(shè)計(jì),該變量清單可能會(huì)更長(zhǎng)。例如,PCB 設(shè)計(jì)可以有一個(gè)帶多個(gè)傳輸/接收機(jī)點(diǎn)的底板。3所有傳輸線跡值均取決于特定的 PCB。一般而言,F(xiàn)R-4 板的 Z0 范圍為 50 到 75Ω,而 D 的范圍為 140 到 180 ps/英寸。Z0 和 D 的實(shí)際值取決于實(shí)際傳輸線跡的材料和物理尺寸。4特定板的線跡傳播延遲可以計(jì)算為:

              tD=D × LENGTH。(1)

              就 FR-4 板而言,線狀線的合理傳播延遲(請(qǐng)參見圖 4)為 178 ps/英寸,并且特性阻抗為 50Ω。通過(guò)測(cè)量線跡的導(dǎo)線電感和電容,并將這些值插入到下列方程式中,我們可以在板上驗(yàn)證這一結(jié)果:

            利用IBIS模型研究信號(hào)完整性問(wèn)題

              CTR 為法拉/英寸為單位的線跡導(dǎo)線電容;LTR 為享/英寸為單位的線跡導(dǎo)線電感;85 ps/英寸為空氣介電常數(shù);而 er 為材料介電常數(shù)。例如,如果微波傳輸帶-板導(dǎo)線電容為 2.6 pF/英寸,則導(dǎo)線電感為 6.4 nH/英寸,而 D="129" ps/英寸,Z0=49.4Ω。

              

            利用IBIS模型研究信號(hào)完整性問(wèn)題

              圖 4 微帶板與帶狀線板橫截面

              集總式電路與分布式電路對(duì)比



            關(guān)鍵詞: IBIS 模型研究 信號(hào)完整性

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