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            EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

            高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

            作者: 時(shí)間:2012-10-31 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            dows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  其中Mp1,Mp2,MN1,MN2均工作在飽和狀態(tài),Mp1,Mp2復(fù)制了Iout,從而確定了IREF。從本質(zhì)上講,IREF被“自舉”到Iout。選擇一定的MOS管尺寸,如果忽略襯底溝長(zhǎng)長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng),則有Iout=KIREF,因?yàn)槊總€(gè)二極管連接的器件都是由一個(gè)電流源驅(qū)動(dòng)的,故IREF和Iout與VDD無(wú)關(guān),左右兩支路永遠(yuǎn)維持這兩個(gè)電流值。雙極晶體管Q1和Q2工作在不同的電流密度下,它們的基極與發(fā)射極間的電壓差與絕對(duì)溫度成正比。將與電源無(wú)關(guān)的偏置電路與雙極晶體管結(jié)合,得到核心電路。

              假設(shè)Mp1,Mp2和MN1,MN2均為相同的對(duì)管,將PTAT電流Ip3加到基極-發(fā)射極電壓上,因此輸出電流為:

              

            高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

              PTAT基準(zhǔn)電流IMp3PTAT(與絕對(duì)溫度成正比)通過(guò)R3產(chǎn)生輸出基準(zhǔn)電壓。

              2.2 自偏置電路及反饋補(bǔ)償電路

              為了提高電源電壓抑制,該設(shè)計(jì)對(duì)核心電路和運(yùn)放的電源電壓進(jìn)行了調(diào)節(jié),由MOS管的電流電壓特性可知,當(dāng)VDS≥VG-VTH時(shí)器件工作在飽和區(qū),有:

              

            高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

              對(duì)其求導(dǎo)得:

              

            高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

              式中:VGS為柵源電壓;VTH為閾值電壓。

              因?yàn)闁怕┒探?,故MN3,MN5一定處于飽和狀態(tài),它們均可作為一個(gè)阻值由過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓控制的等效電阻,定義MN3和MN5的等效電阻分別為RN3和RN5,則可將MN3與R3視為并聯(lián)電阻Rx,如果Vout增大,則RN3減小,并聯(lián)電阻Rx減小,從而使PTAT基準(zhǔn)電流通過(guò)MN3分流一部分;同樣原理適用于MN5和MN6,達(dá)到抑制補(bǔ)償輸出電壓,使輸出電壓穩(wěn)定。其中Mp4和Mp5為MN3提供偏置電流,但使用這種“自偏置電路”會(huì)帶來(lái)電路的啟動(dòng)問(wèn)題。

              2.3 啟動(dòng)電路

              在電路中需要啟動(dòng)電路使得系統(tǒng)上電時(shí)電路能夠進(jìn)入正常的工作狀態(tài),而自偏置放大器電路往往也存在啟動(dòng)問(wèn)題。當(dāng)電路處于非工作狀況時(shí),放大器的輸入端電壓初始值為零,而輸出電壓由于寄生電容的存在可能位于一個(gè)比較高的電勢(shì),當(dāng)電源接通后不但放大器的偏置電路為截止?fàn)顟B(tài),而且的核心電路也無(wú)法正常啟動(dòng)。本文設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電路則可以同時(shí)滿足放大器和核心電路的啟動(dòng)要求,它由Mp6~Mp8,MN7,MN8,R4,R5構(gòu)成。



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