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            EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > MAXQ構(gòu)架上閃存和SRAM存儲(chǔ)器的分配

            MAXQ構(gòu)架上閃存和SRAM存儲(chǔ)器的分配

            作者: 時(shí)間:2013-05-25 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            架構(gòu)是一種基于標(biāo)準(zhǔn)Harvard結(jié)構(gòu)、功能強(qiáng)大的單周期RISC微控制器,程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)總線相互獨(dú)立。這種組織形式要求每個(gè)存儲(chǔ)器具有專用總線(圖1),所以可同時(shí)讀取指令和操作數(shù)。由于不存在單條數(shù)據(jù)總線的沖突問(wèn)題,指令的執(zhí)行時(shí)間僅需要單個(gè)周期。


            圖1. Harvard結(jié)構(gòu)

            每個(gè)器件采用以下存儲(chǔ)器類型:

            SRAM

            固定用途ROM

            MAXQ器件也可從、固定用途ROM或SRAM執(zhí)行程序代碼。從某個(gè)存儲(chǔ)器段執(zhí)行程序代碼時(shí),其它兩個(gè)存儲(chǔ)器段可作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參閱從執(zhí)行程序和執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)部分)。這是因?yàn)槌绦蚝蛿?shù)據(jù)存儲(chǔ)器總線不能同時(shí)存取同一存儲(chǔ)器段。

            有人可能認(rèn)為采用Harvard結(jié)構(gòu)的MAXQ微控制器也不能在非易失閃存中儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。然而,MAXQ器件內(nèi)嵌固定用途ROM函數(shù),允許讀、寫(xiě)非易失閃存數(shù)據(jù)。

            從閃存執(zhí)行程序

            MAXQ器件中,從閃存執(zhí)行應(yīng)用程序時(shí),數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器為SRAM(讀和寫(xiě))和固定用途ROM(只讀)。從閃存執(zhí)行代碼時(shí),數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器映射請(qǐng)參見(jiàn)表1,存儲(chǔ)器映射參見(jiàn)圖2。

            SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節(jié)尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。

            固定用途ROM在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0x9FFFh (字節(jié)模式)或地址0x8000至0x8FFF (字尋址模式下)。

            表1. 從閃存執(zhí)行應(yīng)用代碼時(shí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器映射
            Addressing ModeSRAMUtility ROM
            Start AddressEnd AddressStart AddressEnd Address
            Byte Mode0x00000x07FF0x80000x9FFF
            Word Mode0x00000x03FF0x80000x8FFF


            圖2. 從閃存執(zhí)行應(yīng)用代碼時(shí)的存儲(chǔ)器映射

            執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)

            執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)時(shí),數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器為SRAM(讀和寫(xiě))和閃存(讀和寫(xiě))。從閃存執(zhí)行應(yīng)用程序且變量或數(shù)據(jù)對(duì)象位于閃存時(shí),可通過(guò)固定用途ROM函數(shù)讀或?qū)戇@些變量或數(shù)據(jù)對(duì)象。通過(guò)跳轉(zhuǎn)至執(zhí)行固定用途ROM函數(shù),即可將閃存作為數(shù)據(jù)進(jìn)行存取。從固定用途ROM執(zhí)行代碼時(shí),數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器映射請(qǐng)參見(jiàn)表2,存儲(chǔ)器映射參見(jiàn)圖3。

            SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節(jié)尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。

            字節(jié)尋址模式下,CDA0 = 0時(shí),閃存的低半部分在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh;CDA0 = 1時(shí),閃存的高半部分在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh。字尋址模式下,閃存在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0xFFFF。

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              關(guān)鍵詞: MAXQ 閃存 SRAM存儲(chǔ)器

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