DS1877為SFP控制器，允許通過多種方式配置報(bào)警、預(yù)警、查找表LUT等功能，這一定制化需求需要一個(gè)大容量寄存器。本文介紹了寄存器表，有助于器件配置。

DS1877寄存器

主器件地址是A2h，用于全局變量的配置和發(fā)送器1的控制、校準(zhǔn)、報(bào)警、預(yù)警及監(jiān)控；地址B2h用于控制發(fā)送器2。

低端內(nèi)存，A2h地址范圍：00h到7Fh。包括報(bào)警和預(yù)警門限、標(biāo)志位、模板、控制寄存器，密碼輸入?yún)^(qū)域(PWE)和表格選擇字節(jié)。

表01h、A2h主要包括用戶EEPROM (包含PW1級(jí)訪問)以及報(bào)警、預(yù)警使能。

表02h、A2h/B2h為多功能區(qū)，包括控制寄存器、增益和偏壓設(shè)置、密碼、中斷寄存器以及各種控制字節(jié)。所有功能和狀態(tài)都可以通過A2h或B2h地址進(jìn)行讀寫。

表04h、A2h包含以溫度為索引的查找表(LUT)，用于控制MOD1電壓。MOD1 LUT在40°C到+102°C溫度范圍內(nèi)，以2°C為步長設(shè)置。

表05h、A2h缺省狀態(tài)為空，用于配置報(bào)警、預(yù)警的使能位(表01h，寄存器F8h-FFh)和MASK位使能(表02h，寄存器89h)。這種情況下，表01h為空。

表06h、A2h包含以溫度為索引的查找表(LUT)，用于控制APC1的電壓。APC1 LUT在40°C到+102°C溫度范圍內(nèi)，以2°C為步長設(shè)置。

位于B2h的主器件用于發(fā)送器2的控制、校準(zhǔn)、報(bào)警、預(yù)警和監(jiān)控。

低端內(nèi)存，B2h地址范圍：00h到7Fh，包括報(bào)警和預(yù)警門限、標(biāo)志位、屏蔽位和幾個(gè)控制寄存器、密碼輸入?yún)^(qū)(PWE)和表格選擇字節(jié)。

表01h、B2h包括報(bào)警和預(yù)警使能位。

表04h、B2h包含一個(gè)以溫度為索引的查找表(LUT)，用于控制MOD2的電壓。MOD2 LUT在40°C到+102°C溫度范圍內(nèi)，以2°C為步長設(shè)置。

表05h、B2h缺省狀態(tài)為空，用于配置報(bào)警、預(yù)警的使能位(表01h，寄存器F8h-FFh)和MASK位使能(02h，寄存器89h)。這種情況下，表01h為空。

表06h、B2h包含以溫度為索引的查找表(LUT)，用于控制APC2的電壓。APC2 LUT在40°C到+102°C溫度范圍內(nèi)，以2°C為步長設(shè)置。

輔助內(nèi)存(器件地址A0h)包含256字節(jié)EEPROM，地址范圍：00h到FFh。通過器件地址A0h選取。

以下表格對(duì)每位的功能和讀/寫權(quán)限進(jìn)行了更詳細(xì)的說明。

EEPROM映射

許多非易失存儲(chǔ)器實(shí)際上屬于EEPROM映射(寄存器索引中列出)，受控于表02h，寄存器80h的SEEB位。

DS1877為關(guān)鍵存儲(chǔ)器(可能進(jìn)行多次寫操作)提供EEPROM映射，EEPROM映射的控制位為SEEB，默認(rèn)設(shè)置為零，此時(shí)這些存儲(chǔ)單元表現(xiàn)為常規(guī)的EEPROM。SEEB置位后，這些存儲(chǔ)單元的功能類似于SRAM，允許無限次數(shù)的寫操作，而且不會(huì)損壞。該功能省去了EEPROM的寫入時(shí)間tWR。SEEB使能條件下的數(shù)據(jù)變化不會(huì)影響EEPROM，也不會(huì)保留到下一個(gè)上電周期。上電后的數(shù)值為之前SEEB復(fù)位狀態(tài)下最后一次寫入EEPROM的數(shù)值。該功能可以限制校準(zhǔn)過程中EEPROM的操作數(shù)量，或減少改變監(jiān)控門限電壓時(shí)對(duì)EEPROM的寫入次數(shù)。通過存儲(chǔ)器的描述可以看出哪些單元提供EEPROM映射。

DS1877存儲(chǔ)器

寄存器索引

下列表格提供簡單的寄存器索引，包括低端內(nèi)存，表00h、表01h和表02h。如需了解每個(gè)寄存器位的功能，請(qǐng)參照數(shù)據(jù)手冊(cè)中的對(duì)應(yīng)說明。表04h至08h是查找表LUT，不需要單獨(dú)的索引，未在本節(jié)列出。如需了解這部分的詳細(xì)信息，請(qǐng)參照數(shù)據(jù)手冊(cè)的詳細(xì)描述。

本文使用不同的顏色標(biāo)注區(qū)分A2h和B2h中的不同寄存器。標(biāo)注方法如下：

注：RSVD為“保留”位。

低端內(nèi)存


表01h

表02h