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            CMOS集成電路設(shè)計(三):接口電路詳解

            作者: 時間:2013-07-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            二、其它器件驅(qū)動

              1.TTL-的接口

              利用集電極開路的TTL門電路可以方便靈活地實現(xiàn)TTL與的連接,其電路如圖1所示。圖1中的RL是TTL集電極開路門的負(fù)載電阻,一般取值為幾百Ω到幾MΩ。RL取較大值便于減小集電極開路門的功耗,但在一定程度上影響電路的工作速度。一般情況下,RL可取值47?220KΩ;中速、高速工作場合取20KΩ以下較為合適。

              CMOS集成電路設(shè)計(三):接口電路詳解

              2.ECL-CMOS集成電路的接口

              ECL集成電路驅(qū)動CMOS集成電路的連接方法如圖2所示。它利用MC1024(ECL)的輸出去驅(qū)動晶體三極管VT,再由VT去驅(qū)動CMOS集成電路。

              當(dāng)MC1024的兩個輸入端都是-8V時,VT截止;若兩個輸入中的一個為-1.6V,在兩個輸出之間就有1.6V的電壓,既可驅(qū)動晶體管VT。

              CMOS集成電路設(shè)計(三):接口電路詳解

              3.工業(yè)控制電路-CMOS集成電路的接口

              圖3所示,是利用分壓電阻R1、R2將24V工業(yè)控制電路與CMOS集成電路連接。濾波電容C提高了CMOS集成電路的抗干擾能力,兩個箝位二極管VD1、VD2用來保證輸入信號被控制在VDD和VSS之間。

              CMOS集成電路設(shè)計(三):接口電路詳解

              4.NMOS-CMOS集成電路的接口

              NMOS集成電路驅(qū)動CMOS集成電路的接口比較簡單。圖4為其中的一種電路。實際使用時只考慮當(dāng)晶體三極管VT截止時,它的集電極電壓符合CMOS集成電路的輸入高平電壓這一條件。圖中RC的取值可在2~10K范圍內(nèi)。由于VT的飽和壓降一般都比教小,都能符合CMOS輸入邏輯低電平的要求。

              CMOS集成電路設(shè)計(三):接口電路詳解

              5.機(jī)械開關(guān)觸點-CMOS集成電路的接口

              許多電子設(shè)備都要通過撥盤開關(guān)、按扭、板鍵、鈕子開關(guān)和繼電器等與外界的傳感器或人工操作設(shè)備發(fā)生聯(lián)系,但由于這些開關(guān)的觸點都是機(jī)械的,所以在通斷過程中出現(xiàn)瞬間抖動,這些抖動輸入到CMOS集成電路中,就會干擾正常的邏輯關(guān)系。因此,在這類場合應(yīng)用,需要設(shè)置防抖動接口。圖5所示電路采用CMOS與非門來構(gòu)成的R-S觸發(fā)器防抖動接口。

              


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