高溫工作電路的設計人員必須考慮IC參數(shù)和無源器件在寬溫度范圍內的變化，特別關注其在極端溫度下的特性，以確保電路能夠在目標限制內工作。例如失調和輸入偏置漂移、增益誤差、溫度系數(shù)、電壓額定值、功耗、電路板泄露，以及其他分立器件（如ESD使用的器件和過壓保護器件）的固有泄露。例如，在高源阻抗與某放大器輸入端串聯(lián)時，無用的漏電流（非放大器本身的偏置電流）會產生失調，進而引起偏置電流測量誤差（圖12）。

圖12.偏置電流和漏電流如何產生失調誤差

在所有情況下，高溫工作都會加重由焊劑、灰塵和冷凝等污染引起的電路板泄露。合理的布局有助于最大程度地減少上述影響，具體做法是在敏感節(jié)點之間提供足夠的空間，例如將放大器輸入和含噪聲的供電軌分離。

運算放大器和儀表放大器的標準引腳排列方法是將其中一個輸入端放置在負電源端附近。這種做法會大大降低對PCB裝配后焊劑殘留的耐受能力，這些焊劑殘留會增加泄露。為了減少泄露，增加高頻CMRR，AD8229采用了與ADI公司其他精密儀表放大器相同的高性能引腳排列（圖13）。

圖13.器件引腳排列改進有助于將寄生泄露降至最低

二極管、瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)和其他半導體器件的泄露都會隨著溫度升高成指數(shù)遞增，而且許多情況下都比放大器的輸入偏置電流高出很多個數(shù)量級。在這些情況下，設計人員必須確保極端溫度下的泄露不會降低電路規(guī)格，使其超出所需限制。

如今，有多種無源器件可供高溫工作環(huán)境使用。電阻和電容在各種電路設計中十分常見。表1列出了市場上現(xiàn)有的一些器件。

Table 1. Examples of High-Temperature Resistors and Capacitors

電容	最高額定溫度	注釋
MLCC（陶瓷）C0G/NP0	200°C	低容值，低溫度系數(shù)(TC)，提供SMT或通孔封裝
MLCC（陶瓷）X7R	200°C	TC高于C0G/NP0，成本低
液體鉭電解電容	200°C	高容值，大多數(shù)采用通孔封裝
鉭電解電容	175°C	上一頁 1 2 下一頁 關鍵詞： 高溫系統(tǒng) 評論 我來說兩句…… 驗證碼： 相關推薦 高溫系統(tǒng)設計的考慮因素 模擬技術 高溫系統(tǒng) | 2013-09-08 上一篇：EMI輻射源強度對電路系統(tǒng)干擾原理與評估 下一篇：RAID內存:回寫技術和熱插拔容量技術 技術專區(qū) FPGA DSP MCU 示波器 步進電機 Zigbee LabVIEW Arduino RFID NFC STM32 Protel GPS MSP430 Multisim 濾波器 CAN總線 開關電源 單片機 PCB USB ARM CPLD 連接器 MEMS CMOS MIPS EMC EDA ROM 陀螺儀 VHDL 比較器 Verilog 穩(wěn)壓電源 RAM AVR 傳感器 可控硅 IGBT 嵌入式開發(fā) 逆變器 Quartus RS-232 Cyclone 電位器 電機控制 藍牙 PLC PWM 汽車電子 轉換器 電源管理 信號放大器 關閉