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            EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設計應用 > Cortex M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

            Cortex M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

            作者: 時間:2013-09-25 來源:網(wǎng)絡 收藏

            目前,對于存儲單元的研究都是基于硬件電路來完成,而且這些方法都是運用在生產(chǎn)過程中,但是生產(chǎn)過程并不能完全杜絕的硬件故障。在其使用過程中,如果硬件出錯,將導致程序出錯而且很難被發(fā)現(xiàn)。因此在運用的階段,為防止存儲單元損壞而導致系統(tǒng)出錯,通過軟件的方式對SRAM進行檢測是必要的。

              1 SRAM運行狀態(tài)分析

              SRAM是存儲非CONSTANT變量(如RW),它具有掉電即失的特點。由的啟動步驟可知,系統(tǒng)上電后,首先執(zhí)行復位的5個步驟:

             ?、貼VIC復位,控制內(nèi)核;

              ②NVIC從復位中釋放內(nèi)核;

             ?、蹆?nèi)核配置堆棧;

              ④內(nèi)核設置PC和LR;

             ?、葸\行復位程序。

              可以看出,不能在調(diào)入C環(huán)境之后檢測SRAM,必須在復位之前和啟動之后進行檢測。

              在執(zhí)行系統(tǒng)復位的最后一個步驟之前,系統(tǒng)都沒有對SRAM執(zhí)行任何相關的數(shù)據(jù)傳送動作。第⑤步運行復位程序,在ST公司-處理器內(nèi)核的STM32系列微控制器的啟動代碼中有一段復位子程序:

              

            Cortex M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

              在這個子程序里導入了__main,__main是C庫文件的入口地址。它執(zhí)行下面3個步驟:

             ?、購椭品莚oot(RW、RO)從Flash到SRAM;

             ?、诜峙鋃I區(qū),并且初始化為0;

             ?、厶D(zhuǎn)到堆棧初始化子程序接口__rt_entry。

              由_ _main的第一步可以得出,在跳入_ _main之后,系統(tǒng)對SRAM進行了相關數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移的操作。因此,檢測SRAM必須在此步驟之前,否則將會覆蓋SRAM從Flash中轉(zhuǎn)移過來的數(shù)據(jù)。

              2 SRAM檢測方案設計

              在復位子程序跳入_ _main之前,設計另一個程序入口SRAM_Check,使PC指針指向該SRAM進行硬件單元檢


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