現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)與超大規(guī)模集成電路一樣都是以微細(xì)加工和MOS工藝為基礎(chǔ)，因而為功率半導(dǎo)體的集成化、智能化和單片系統(tǒng)化提供了可能，進(jìn)而促進(jìn)了將功率半導(dǎo)體器件與過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)溫等傳感與保護(hù)電路及其驅(qū)動(dòng)和控制電路等集成于同一芯片的單片功率集成電路的迅速發(fā)展。

　　目前市場(chǎng)主流的功率半導(dǎo)體器件是硅基器件，包括部分SOI（SOI：SilicononInsulator）基高壓集成電路，隨著以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料制備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和硅基GaN電力電子器件逐漸成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展領(lǐng)域。