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            電源管理芯片中高性能放大器的研究

            作者: 時間:2013-11-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            基于 以 上 目的,本文設(shè)計了一種可應(yīng)用于芯片的大電流、恒定增益、寬電源電壓的CMOS運算,輸入級采用恒定跨導(dǎo)互補式差分輸入結(jié)構(gòu),輸出級采用帶有米勒補償?shù)那梆丄B類輸出結(jié)構(gòu),使輸入和輸出擺幅都達(dá)到了軌對軌,最后,結(jié)合UMC 0.6um雙多晶雙金屬BCD工藝進行了運放的版圖設(shè)計。HSPICE的仿真結(jié)果表明,該可以在4.5-8V的電源電壓下穩(wěn)定的工作,具有121dB的開環(huán)增益,18M的單位增益帶寬,上升和下降的擺率分別為13.7V/us和14.2V/us,典型值為90dB的電源抑制比,以及600的相位裕度,滿足了芯片對的性能參數(shù)的要求,具有比較重要的應(yīng)用價值。
            電源管理芯片中高性能放大器的研究

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            關(guān)鍵詞: 電源管理 高性能 放大器

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