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            運(yùn)算放大器--單通道、雙通道、四通道優(yōu)缺點(diǎn)及結(jié)構(gòu)

            作者: 時間:2013-11-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            Bob Widlar曾提出一個重要觀點(diǎn),即集成電路(IC)的設(shè)計(jì)依據(jù)應(yīng)該是比例和匹配,而不是電阻和晶體管的絕對值。這個原理同樣適用于需要多個的PCB(印制電路板)設(shè)計(jì)。

              雙通道運(yùn)放真的是兩運(yùn)放,還是一硅片具備兩功能?

              人們常常認(rèn)為雙通道運(yùn)放等同于兩個單通道運(yùn)放,但在電路板上,單片雙通道IC與兩個單通道IC之間還是存在一些細(xì)微差別,這些差別可能會給新的設(shè)計(jì)帶來問題。由于兩個運(yùn)放在相同的單個硅片上并排放置,因此在使用雙通道時需要考慮電氣和散熱因素。

              業(yè)界研究熱效應(yīng)已經(jīng)有30多年的歷史了,并且在Solomon引用的一篇前50強(qiáng)IEEE論文有詳細(xì)的論述 [1]。隨著運(yùn)放輸出電壓的改變,散熱量也隨之改變,會有一個熱波穿過整個芯片傳播到輸入級,使芯片失去平衡,并表現(xiàn)為一種電氣信號。熱波能夠同時影響兩個運(yùn)放,即使它們在電氣上是分開的。

              另外還有電氣效應(yīng)。為了減小裸片尺寸,進(jìn)而降低成本,像偏置電路和相關(guān)啟動電路等部分可能為兩個運(yùn)放所共享。如果一個運(yùn)放超出了正常工作范圍,并導(dǎo)致偏置電路出現(xiàn)故障,那么另一個運(yùn)放也會發(fā)生故障 [2]。另外,由于只有一對電源引腳,邦定線和裸片上的一些金屬化層將承載兩個運(yùn)放的總電流。一個吸收的電流將產(chǎn)生IR壓降,并通過隨頻率改變的PSRR指標(biāo)反映到另一個運(yùn)放上。

              優(yōu)點(diǎn)

              任何事物都不可能十全十美,因此使用雙通道運(yùn)放既有優(yōu)點(diǎn)也有缺點(diǎn)。有些優(yōu)點(diǎn)是顯而易見的。首先,單次插入比兩次插入更省制造成本。其次,大多數(shù)半導(dǎo)體制造商的雙通道運(yùn)放報(bào)價(jià)通常要低于兩個單通道運(yùn)放的成本。通過合并子電路,裸片面積通常小于單通道運(yùn)放的兩倍。再者,高速自動化測試設(shè)備(ATE)受類似運(yùn)放這樣的單個功能的處理時間的限制,因此每個功能的測試成本也更低。在封裝成本方面也是如此。最后,由于兩個電路在晶圓上靠得非常近,它們之間的電氣特性 (通常會規(guī)定)也非常匹配。

              缺點(diǎn)

              不過也存在一些缺點(diǎn)。將兩個或四個功能放在一個封裝中會增加功耗。對于低帶寬、低電壓(低功耗)運(yùn)放來說,這種功耗的增加對結(jié)溫的影響很小,僅上升5℃。而對驅(qū)動低阻抗負(fù)載(如同軸電纜)的高速運(yùn)放而言,這種結(jié)溫上升會非常明顯,大概有30℃。由于裸片應(yīng)力原因,四通道運(yùn)放的最大失調(diào)電壓將高于雙通道或單通道運(yùn)放[3]。在某些情況下,雙通道運(yùn)放的失調(diào)電壓會比單通道運(yùn)放高,四通道運(yùn)放的失調(diào)電壓將比雙通道運(yùn)放高[4]。

              串?dāng)_也是個問題,它源自兩個效應(yīng):熱效應(yīng)和電氣效應(yīng)。如前所述,從一個部分發(fā)出的熱波將使另一個部分的輸入級失去平衡,這表現(xiàn)為低頻反饋。另外,由于只有一對電源引腳,邦定線電阻對所有部分都是公共的,因此一個部分引起的大負(fù)載電流將在邦定線上造成IR壓降。運(yùn)放的PSRR不是無限的,因此某部分將被耦合到其它部分。PSRR隨頻率升高而下降,因此在約5kHz至10kHz頻段可以看到這一現(xiàn)象。

              版圖設(shè)計(jì)考慮

              為了真正理解這些效應(yīng)發(fā)生的原因,有必要了解單通道、雙通道和四通道運(yùn)放的內(nèi)部構(gòu)造輸入級電路

              運(yùn)放的第一級通常是差分對電路,可以是如圖所示的NPN或PNP雙極性電路,也可以是N溝道或P溝道MOSFET,或N溝道或P溝道JFET。它們面臨一個同樣的問題:如果兩邊的溫度有差異,即使相差只有1/10,電路也會變得不平衡。當(dāng)增益為10萬倍或以上時,這將對輸出電壓造成影響。當(dāng)輸出級電路存在功耗時,熱波將越過裸片傳播到輸入級。如果輸入級離得比較遠(yuǎn)(相對而言),等溫線將近似平行線。如果兩個輸入晶體管的位置擺放得比較合適,熱波將同時到達(dá)兩個晶體管,這時平衡幾乎不會受到影響。這是一個好主意,但我們可以做得更好。將晶體管分成兩個部分,并進(jìn)行交叉耦合,那么從某個角度傳來的熱波將同時影響兩個部分,影響程度將低于兩個獨(dú)立晶體管的情形。也許George Erdi在 uA725中首次應(yīng)用的就是這種方法[5]。“交叉耦合四通道”具有多方面的含義,這里討論的是其最通用的含義。輸出晶體管和輸入晶體管應(yīng)沿著圖1所示的中心線放置。

            運(yùn)算放大器--單通道、雙通道、四通道優(yōu)缺點(diǎn)及結(jié)構(gòu)

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