MEMS結(jié)構(gòu)層制造流程實例

然而，因為芯片小型化有其限制，故各個研發(fā)機構(gòu)正著手發(fā)展新的檢測原理（例如，Tronic的MNEMS概念）來降低MEMS的硅芯片尺寸。此技術(shù)是基于壓阻硅納米線（piezoresistive nanowires）而不是純電容式檢測（capacitive detection），且著眼于裝置效能及芯片尺寸上的技術(shù)躍進。此舉將奠定新一代動作感測應用的組合式感測器基礎(chǔ)，且可讓多自由度感測器明顯的減少表面積及改善效能。

Yole Developpement在一系列的MEMS技術(shù)中列出數(shù)種可望在未來幾年嶄露頭角的技術(shù)，包括：硅穿孔、室溫接合、薄膜PZT、暫時性接合、Cavity SOI、CMOS MEMS。其他的MEMS 技術(shù)（如金接合），亦可能廣泛運用于縮減芯片尺寸且同時維持晶圓級封裝的高度密封性。