圖字：storage modulus （MPa）：儲(chǔ)能模量（MPa）；Temp：溫度

圖6 固晶膠E的存儲(chǔ)模量

用內(nèi)部確定的固晶E的性能對(duì)封裝進(jìn)行的模態(tài)分析表明，它的固有頻率大于20 kHz。此外，圖4顯示了固晶E的裂紋擴(kuò)展能量與固晶A相似，因此不會(huì)產(chǎn)生芯片斷裂的問題。因此，固晶膠E被用于替換固晶膠D，因?yàn)樗浅Ｈ犴g，不會(huì)使芯片斷裂，同時(shí)也具有足夠的硬度，滿足共振要求。對(duì)這種新的固晶材料進(jìn)行鑒定檢測(cè)和試封裝后發(fā)現(xiàn)，整個(gè)測(cè)試樣本中沒有出現(xiàn)任何芯片斷裂。

結(jié)語

本文16引線SOIC加速儀封裝的完整工藝流程進(jìn)行了評(píng)估解以了解造成低ppm水平芯片斷裂的裂紋擴(kuò)展和傾向。找出了兩個(gè)危害最大的關(guān)鍵工序。影響最大的是焊接回流工序，其次是引線粘結(jié)工序。引起芯片斷裂的主要參數(shù)是感應(yīng)單元固晶膠的硬度。目前使用的固晶膠D使感應(yīng)單元基片芯片非常容易出現(xiàn)斷裂。通過反向工程確定了可以同時(shí)滿足感應(yīng)單元固有頻率和封裝可靠性需求的固晶材料。采用推薦的固晶膠E后，封裝在處理通常會(huì)引入裂紋和感應(yīng)單元固有頻率要求的工藝時(shí)表現(xiàn)更加強(qiáng)韌。