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      大功率半導(dǎo)體激光器陣列熱特性分析

      作者: 時間:2013-11-30 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
      恒定的溫度。在低占空比條件下,升溫過程穩(wěn)定溫度不高,且熱弛豫過程完全,不會造成有源區(qū)的熱積累,達(dá)到的最終準(zhǔn)恒定的平衡溫度較低;而高占空比條件下,脈沖結(jié)束時,穩(wěn)定溫度高,而熱弛豫過程又不完全,必然造成有源區(qū)的熱積累,使最終的平衡溫度高。如圖6所示,占空比為0.2%和2%時,沒有熱積累;而當(dāng)占空比為20%時,已有熱積累產(chǎn)生,當(dāng)占空比增大到40%時,熱積累也隨之增多。所以高占空比和連續(xù)工作狀態(tài)時更需要很好的散熱裝置。

        4 測量結(jié)果

        為檢驗(yàn)?zāi)M結(jié)果,我們采用縱模光譜法測量 800 nm 100/130版一維線陣列的熱阻??v模光譜法依據(jù)的基本原理是的縱模波長會隨溫度移動,產(chǎn)生發(fā)光波長隨溫度紅移的現(xiàn)象。利用這一方法,我們在短脈沖下改變殼溫,并測量相應(yīng)的波長移動,從而獲得波長移動與溫度之間的校準(zhǔn)曲線,推測出波長隨溫度的變化率。對于我們所測量的800 nm陣列,該變化率測得為0.3 nm/K。在此基礎(chǔ)上,增加工作電流的占空比,并測出不同占空比下的波長,即可由波長-熱功率曲線得出λ/p,進(jìn)而由λ/p = 0.3nm /K計算得到相應(yīng)的熱阻。圖7為通過實(shí)驗(yàn)測得的波長隨熱功率變化的曲線,通過線性擬和得到λ/p =0.377,所以通過實(shí)驗(yàn)測得的熱阻為1.25 K/W。而我們通過模擬得到的100/130版的熱阻為0.81K/W,比實(shí)驗(yàn)值偏小,分析其原因主要有以下兩方面:⑴我們在模擬過程中假設(shè)焊料層光滑平整且上下表面完全接觸,但在實(shí)際器件中,焊料層中會出現(xiàn)缺陷且實(shí)際接觸面積并不是100%,這些都會導(dǎo)致熱阻增大。⑵在模擬過程中我們?nèi)≥d體銅的熱導(dǎo)率為4 W/cm·K,而實(shí)際載體的熱導(dǎo)率偏小,這也會導(dǎo)致熱阻偏大。

        5 結(jié)論

        對激光器的熱特性進(jìn)行模擬分析可以幫助我們對其設(shè)計和工藝進(jìn)行改進(jìn)。本文利用ANSYS軟件對激光器陣列的穩(wěn)態(tài)及瞬態(tài)溫度分布進(jìn)行了模擬,并通過測量熱阻的試驗(yàn)對模型進(jìn)行了檢驗(yàn)。試驗(yàn)結(jié)果略高于模擬值,通過分析原因,我們認(rèn)為這個結(jié)果是完全合理的。

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