本文基于1 μm 40 V CSMC工藝模型， 使用HSPICE軟件， 對(duì)整體芯片進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。

　　表1給出了典型條件下， 采樣電阻RS=0.33ohm， 電感L=100 μH時(shí)， 在不同的電源電壓， 不同LED連接數(shù)目下， LED輸出電流精度。芯片由于采樣延遲、采樣精度、驅(qū)動(dòng)級(jí)延遲等因素， 會(huì)導(dǎo)致輸出電流產(chǎn)生誤差。在不同的電源電壓和負(fù)載條件下， 從表一中可以看到輸出電流精度均能很好的控制在5.5%以?xún)?nèi)。同時(shí)也可以看到， 要實(shí)現(xiàn)較好的電流精度， 固定負(fù)載下需要相應(yīng)的電源電壓與之匹配。

　　表1 輸出電流精度

　　4 結(jié)束語(yǔ)

　　本文基于1 μm 40 V CSMC高壓工藝， 設(shè)計(jì)了一種寬電壓輸入、大電流、高調(diào)光比LED恒流降壓驅(qū)動(dòng)芯片。在滯環(huán)電流控制模式下， 芯片具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、不需要補(bǔ)償電路等優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)DIM引腳， 芯片可以方便的進(jìn)行LED開(kāi)關(guān)、模擬調(diào)光和寬范圍的PWM調(diào)光。仿真結(jié)果表明， 當(dāng)輸入電壓從8 V變化到30 V時(shí)， 芯片輸出電流最大偏差不超過(guò)5.5%。此外， 在芯片驅(qū)動(dòng)7個(gè)LED時(shí)， 效率可高達(dá)97%。