就芯片電阻等無源元件而言，微型化已經(jīng)造就了在單個(gè)元件中結(jié)合多個(gè)電阻的電阻陣列元件，以及采用極小的0402、0201或01005 SMD封裝的分立元件。然而，MOSFET的微型化通常更具挑戰(zhàn);MOSFET的設(shè)計(jì)參照了幾項(xiàng)相互沖突的參數(shù);在物理尺寸小、能進(jìn)行快速高能效開關(guān)的元件中，難于實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻及將開關(guān)應(yīng)用的能耗降至最低。為了實(shí)現(xiàn)這些參數(shù)的高質(zhì)量組合，元件必須擁有小裸片尺寸，并帶有高單元密度及低電容和低閘極電荷。

　　移動(dòng)設(shè)備用MOSFET的微型化

　　通常情況下，有多種設(shè)計(jì)手段可行。功率MOSFET設(shè)計(jì)人員傾向于使用超結(jié)(super junction)、深溝槽(deep trench)或其它先進(jìn)的溝槽技術(shù)來提供低導(dǎo)通電阻及高壓能力和小裸片尺寸。在小信號(hào)MOSFET中，如那些用于在移動(dòng)設(shè)備中采用2.5 V或1.8 V低電壓工作的負(fù)載開關(guān)及接口的小信號(hào)MOSFET，必須追尋其它技術(shù)來減小封裝尺寸和每個(gè)裸片尺寸的導(dǎo)通電阻。事實(shí)上，每個(gè)裸片尺寸的導(dǎo)通電阻是主導(dǎo)用于負(fù)載開關(guān)型應(yīng)用的MOSFET的真正關(guān)鍵的評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)。

　　最新世代小信號(hào)MOSFET被設(shè)計(jì)為提供低閾值電壓，規(guī)定的閘極驅(qū)動(dòng)電壓低至1.5 V，使元件能夠提供極低導(dǎo)通電阻，用于采用鋰離子電池提供的低電壓工作的便攜應(yīng)用。

　　為了將這些元件能夠提供的小裸片尺寸的優(yōu)勢提升至最多，它們提供寬廣超小型封裝選擇來供貨，涵蓋從尺寸為1.6 x 1.6 x 0.5 mm的SOT-563封裝到尺寸為1.0 x 0.6 x 0.4mm SOT-883的封裝等。最新的器件，如安森美半導(dǎo)體的N溝道NTNS3193NZ 及P溝道NTNS3A91PZ充分利用極纖薄導(dǎo)線架平面網(wǎng)格陣列(XLLGA)亞芯片級(jí)封裝技術(shù)的優(yōu)勢，進(jìn)一步推進(jìn)了小信號(hào)MOSFET的微型化。