三星電子(SamsungElectronics)系統(tǒng)IC部門以系統(tǒng)單晶片(SystemonChip;SoC)、大型積體電路(LargeScaleIntegration;LSI)、晶圓代工為主要事業(yè)，在SoC方面，三星主要供應(yīng)行動(dòng)應(yīng)用處理器(ApplicationProcessor;AP)，除搭載于三星品牌行動(dòng)裝置外，亦對外販?zhǔn)劢o大陸等地區(qū)行動(dòng)裝置業(yè)者。

　　2013年三星采用英國安謀(ARM)公司的大小核(bigLITTLE)配置，發(fā)表以4大Cortex-A15搭配4小Cortex-A7的8核行動(dòng)AP，2014年三星行動(dòng)AP事業(yè)不僅計(jì)劃導(dǎo)入20奈米制程，亦將發(fā)展ARM架構(gòu)與其自有架構(gòu)的64位元核心，并供應(yīng)結(jié)合行動(dòng)AP與網(wǎng)通晶片的SoC。

　　三星的LSI事業(yè)主要供應(yīng)CMOS影像感測IC(CMOSImageSensor;CIS)、顯示器驅(qū)動(dòng)IC(DisplayDriverIC;DDI)及智慧卡IC等產(chǎn)品，為提升CIS解析度，持續(xù)縮小畫素間距，以增加畫素?cái)?shù)量，2014年三星更計(jì)劃運(yùn)用可消除入射光損耗的背面照度(Back-SideIllumination;BSI)技術(shù)，并搭配可降低BSI相鄰畫素間干擾的ISOCELL技術(shù)，將其行動(dòng)裝置用CIS最高解析度自現(xiàn)行1,300萬畫素提升至1,600萬畫素。

　　晶圓代工事業(yè)則以先進(jìn)制程、產(chǎn)能及矽智財(cái)(IntellectualProperty;IP)為主要訴求，2014年不僅將持續(xù)開發(fā)3D封裝Widcon技術(shù)、14奈米鰭式場效電晶體(FinField-EffectTransistor;FinFET)及其以下先進(jìn)制程，更將發(fā)展有利增加晶圓代工廠彈性的Foundry2.0營運(yùn)模式。

　　DIGITIMESResearch研究發(fā)現(xiàn)，2013年三星系統(tǒng)IC事業(yè)部新增電源管理IC(PowerManagementIC;PMIC)與網(wǎng)通晶片等產(chǎn)品線，顯示漸朝齊備行動(dòng)裝置相關(guān)晶片產(chǎn)品線發(fā)展，以因應(yīng)該市場對行動(dòng)通訊應(yīng)用需求增加，此亦凸顯三星積極強(qiáng)化其內(nèi)制行動(dòng)裝置相關(guān)晶片能力的企圖心。