鎧俠參展CFMS 2025:布局下一代先進存儲,持續(xù)助力高能AI
3月12日,全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商鎧俠參展中國閃存市場峰會CFMS 2025/MemoryS 2025,在現(xiàn)場針對人工智能 AI應(yīng)用提出了全新的存儲解決方案,并預(yù)告了全新一代的QLC企業(yè)級與數(shù)據(jù)中心級SSD,以及下一代BiCS FLASH?,為云端計算、大模型加速,提供了高效、可靠的先進存儲解決方案。
本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202503/468214.htm用QLC SSD滿足AI應(yīng)用
以DeepSeek為主的人工智能應(yīng)用正在推動企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心積極升級,在關(guān)注AI加速運算成本的同時,存儲密度和效能也已經(jīng)成為關(guān)注的對象。特別是隨著AI應(yīng)用增多,冷數(shù)據(jù)正在轉(zhuǎn)向溫數(shù)據(jù),HDD已經(jīng)無法同時滿足高速讀寫和每年以EB級增長的數(shù)據(jù)需求,SSD發(fā)展成為了必然。
在企業(yè)級SSD解決方案中,QLC技術(shù)被認為是能夠幫助服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心提升單位空間存儲密度的解決方案之一,第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH?的QLC產(chǎn)品提高了約2.3倍,寫入能效比提高了約70%。
鎧俠采用QLC技術(shù)的企業(yè)級SSD蓄勢待發(fā),配合QLC技術(shù),新一代鎧俠LC9系列可擁有高達122.88 TB容量,支持PCIe? 5.0、NVMeTM 2.0 ,采用雙端口設(shè)計,適用于密集型讀取、大模型加載、AI等應(yīng)用場景。
另外針對數(shù)據(jù)中心和超大規(guī)模計算環(huán)境,具備前瞻性EDSFF(Enterprise and Data Center Standard Form Factor)規(guī)范鎧俠XD8系列也已經(jīng)發(fā)布,E1.S的規(guī)格可以幫助數(shù)據(jù)中心在新的規(guī)范下提升存儲密度,可以充分滿足數(shù)據(jù)中心對AI高性能、高效率和高可擴展性的增長需求。
下一代BiCS FLASH?蓄勢待發(fā)
在積極推進SSD解決方案的同時,鎧俠也放眼于未來的BiCS FLASH?規(guī)劃,基于CBA技術(shù)的下一代BiCS FLASH?已經(jīng)蓄勢待發(fā),可以很好的兼顧每GB的產(chǎn)能、成本和性能,進一步優(yōu)化存儲效率,幫助客戶獲得更優(yōu)秀的存儲解決方案。
下一代BiCS FLASH?將會獲得更快的4.8Gb/s速度相對第八代BiCS FLASH?提升33%,擁有332堆疊,位密度將大于29Gb/mm2,相對第八代BiCS FLASH?提升59%,并且數(shù)據(jù)輸出能效提升34%,為PCIe? 6.0和PCIe? 7.0做好準備。
與此同時,量產(chǎn)的BiCS FLASH?技術(shù)也已經(jīng)與產(chǎn)品實現(xiàn)了優(yōu)秀的融合,在QLC UFS 4.0,車規(guī)級UFS 4.0以及移動端上展開應(yīng)用,為客戶提供了豐富的存儲解決方案。
在現(xiàn)場, “人工智能應(yīng)用需求的增長,給數(shù)據(jù)中心技術(shù)建設(shè)帶來了全新的挑戰(zhàn),憑借先進的NAND閃存技術(shù)和豐富的企業(yè)級產(chǎn)品經(jīng)驗,鎧俠提供的SSD產(chǎn)品可以提高數(shù)據(jù)中心的能效、存儲密度、性能和可靠性。同時鎧俠也將與中國客戶建立深度合作關(guān)系,為AI提供更為高效的存儲方案?!?鎧俠技術(shù)執(zhí)行官柳茂知(Shigenori Yanagi)說道。
鎧俠電子(中國)有限公司董事長兼總裁岡本成之對今年存儲行情充滿了信心:“DeepSeek成為全球范圍內(nèi)的熱點話題,給2025年發(fā)展提供了無限想象空間,相信整個行業(yè)在今年會隨著AI東風(fēng)闊步向前?!?/p>
在CFMS 2025現(xiàn)場分享的內(nèi)容僅僅是鎧俠技術(shù)規(guī)劃的一部分。鎧俠會持續(xù)推動先進存儲技術(shù)研發(fā),將技術(shù)與熱門應(yīng)用結(jié)合,并與中國客戶加深合作,共同推進存儲行業(yè)的快速發(fā)展,為客戶提供高效、穩(wěn)定、可靠的存儲解決方案。
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