業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出專為1.2V SoC應(yīng)用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。該系列產(chǎn)品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實(shí)現(xiàn)無縫兼容，此產(chǎn)品的面世將進(jìn)一步強(qiáng)化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿足市場(chǎng)對(duì)于先進(jìn)嵌入式存儲(chǔ)解決方案日益增長(zhǎng)的需求，成為智能可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心及邊緣人工智能應(yīng)用的理想選擇。

GD25NE系列SPI NOR Flash的核心供電電壓為1.8V，IO接口電壓為1.2V，支持單通道、雙通道、四通道、雙沿四通道模式，最高時(shí)鐘頻率為STR 133MHz，DTR 104MHz。GD25NE系列的寫入時(shí)間典型值為0.15ms，扇區(qū)擦除時(shí)間為30ms，其與常規(guī)1.2V單電壓供電的Flash解決方案相比，數(shù)據(jù)讀取性能提升了20%，寫入速度提升60%，擦除時(shí)間縮短30%。憑借這些技術(shù)優(yōu)勢(shì)，GD25NE系列成為新興嵌入式應(yīng)用的卓越之選。

為進(jìn)一步滿足能耗敏感型應(yīng)用的需求，GD25NE系列采用超低功耗設(shè)計(jì)。其深度睡眠功耗電流低至0.2μA，在雙沿四通道104MHz頻率下的讀取電流低至9mA，擦寫電流低至8mA。與傳統(tǒng)的1.8V Flash解決方案相比，GD25NE系列的1.2V IO接口設(shè)計(jì)可將功耗降低50%。這一優(yōu)化的電源架構(gòu)不僅顯著提升了能效，還保持了Flash器件的高性能表現(xiàn)，同時(shí)簡(jiǎn)化了SoC的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

“GD25NE系列作為雙電源SPI NOR Flash品類的代表，實(shí)現(xiàn)了高性能與超低功耗的完美平衡，”兆易創(chuàng)新副總裁、存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理蘇如偉表示，“憑借顯著降低的功耗、更快的讀取速度以及更高的擦寫效率，GD25NE系列能夠滿足新一代1.2V SoC持續(xù)演進(jìn)的需求。未來，兆易創(chuàng)新還將不斷拓展雙電源SPI NOR Flash的產(chǎn)品組合，致力于為客戶提供更高效、更可靠、更前沿的閃存解決方案，助力創(chuàng)新應(yīng)用的發(fā)展。”

目前，兆易創(chuàng)新GD25NE系列可提供從32Mb到256Mb的多種容量選擇，并支持SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）封裝選項(xiàng)。該系列首款產(chǎn)品——256Mb的GD25NE256H現(xiàn)已開始提供樣片。其余32Mb至128Mb容量的產(chǎn)品也將陸續(xù)推出。如需了解詳細(xì)信息及產(chǎn)品定價(jià)，請(qǐng)聯(lián)系當(dāng)?shù)劁N售代表。