英特爾兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)已投產(chǎn),單季完成3萬(wàn)片晶圓
據(jù)路透社2月24日?qǐng)?bào)道,英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國(guó)在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場(chǎng)會(huì)議上表示,英特爾已經(jīng)安裝的兩臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)正在其晶圓廠生產(chǎn),早期數(shù)據(jù)表明它們的可靠性大約是上一代光刻機(jī)的兩倍。
本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202502/467320.htmSteve Carson指出,新的High NA EUV光刻機(jī)能以更少曝光次數(shù)完成與早期設(shè)備相同的工作,從而節(jié)省時(shí)間和成本。英特爾工廠的早期結(jié)果顯示,High NA EUV 機(jī)器只需要一次曝光和“個(gè)位數(shù)”的處理步驟,即可完成早期機(jī)器需要三次曝光和約40個(gè)處理步驟的工作。目前英特爾已經(jīng)利用High NA EUV光刻機(jī)在一個(gè)季度內(nèi)生產(chǎn)了3萬(wàn)片晶圓。
資料顯示,ASML的High NA EUV(EXE:5000)的分辨率為 8nm,可以實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有EUV光刻機(jī)小1.7倍物理特征的微縮,從將單次曝光的晶體管密度提高2.9倍,可以使芯片制造商能夠簡(jiǎn)化其制造流程。晶圓生產(chǎn)速度達(dá)到了每小時(shí)400至500片晶圓,是當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)EUV每小時(shí)200片晶圓的2-2.5倍的速度,即提升了100%至150%,將進(jìn)一步提升產(chǎn)能,并降低成本。
英特爾此前就曾表示,High NA EUV光刻機(jī)將會(huì)首先會(huì)被用到其最新的Intel 18A制程的相關(guān)開(kāi)發(fā),預(yù)計(jì)基于Intel 18A制程的PC芯片將于今年下半年量產(chǎn)。此外,英特爾還計(jì)劃在下一代的Intel 14A制程中全面導(dǎo)入High NA EUV設(shè)備來(lái)進(jìn)行生產(chǎn),但英特爾尚未公布該制程的量產(chǎn)時(shí)間。(編輯:芯智訊-浪客劍)
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