英特爾24日表示，ASML首批的兩臺(tái)先進(jìn)曝光機(jī)已投產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)顯示比之前機(jī)型更可靠。

英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數(shù)值孔徑（High NA）曝光機(jī)一季內(nèi)生產(chǎn) 3 萬(wàn)片晶圓，即生產(chǎn)數(shù)千顆運(yùn)算芯片的大型硅片。

英特爾去年成為全球第一間接收這些設(shè)備的芯片制造商，與之前ASML設(shè)備相比，這些機(jī)器可望制造出更小、更快的運(yùn)算芯片。 此舉是英特爾策略轉(zhuǎn)變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機(jī)時(shí)落后競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

英特爾花了七年才將之前機(jī)器全面投產(chǎn)，導(dǎo)致領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)被臺(tái)積電超越。 生產(chǎn)初期，英特爾曾因EUV機(jī)型可靠性問(wèn)題遇到挫折。 不過(guò) Carson 表示，ASML High NA EUV 設(shè)備初步測(cè)試可靠性約前代機(jī)器兩倍，「我們能以一致速度輸出晶圓，這對(duì)平臺(tái)是一大幫助」。

ASML 新設(shè)備用光束在芯片印制電路圖案，同時(shí)能以更少曝光次數(shù)完成與早期設(shè)備相同工作量，節(jié)省時(shí)間和成本。 Carson指出，英特爾工廠早期結(jié)果顯示，High NA EUV 機(jī)器只需一次曝光和「?jìng)€(gè)位數(shù)」處理步驟，即可完成早期機(jī)器需三次曝光和約 40 個(gè)步驟的工作。

英特爾表示，計(jì)劃使用High NA EUV設(shè)備來(lái)協(xié)助開(kāi)發(fā)其所謂的18A制程，該技術(shù)預(yù)計(jì)今年稍晚時(shí)跟著新PC芯片量產(chǎn); 此外，也計(jì)劃下代14A制程全面導(dǎo)入新設(shè)備，但尚未公布量產(chǎn)時(shí)間。