鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存
加入技術(shù)交流群
自鎧俠官網(wǎng)獲悉，日前， 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進的3D閃存技術(shù)，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業(yè)標(biāo)桿。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/202502/467211.htm據(jù)悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù)，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類似長江存儲的Xtacking晶棧架構(gòu)。3D堆疊層數(shù)達到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達38%。
兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品（BiCS FLASH? generation 8）實現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升，達到4.8Gb/s。此外，該技術(shù)也顯著提升了數(shù)據(jù)輸入/輸出的能效，輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，成功實現(xiàn)了高性能與低功耗的最優(yōu)平衡。兩家公司預(yù)展第十代3D閃存（BiCS FLASH? generation 10）技術(shù)時介紹，通過將存儲層數(shù)增至332層并優(yōu)化晶圓平面布局以提高平面密度，使位密度提升了59%。
鎧俠首席技術(shù)官宮島英史表示：“隨著人工智能技術(shù)的普及，預(yù)計產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將顯著增加，同時現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心對能效提升的需求也在增長。鎧俠深信，這項新技術(shù)將實現(xiàn)更大容量、更高速度和更低功耗的產(chǎn)品，包括用于未來存儲解決方案的SSD產(chǎn)品，并為人工智能的發(fā)展奠定基礎(chǔ)。”
評論