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    深圳平湖實驗室在SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

    作者: 時間:2025-02-20 來源:SEMI 收藏

    據(jù)深圳平湖實驗室官微消息,為降低材料損耗,深圳平湖實驗室新技術(shù)研究部開發(fā)工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工藝,其工藝過程示意圖如下所示:

    本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202502/467105.htm

    工藝與多線切割工對照:

    有益效果:使用工藝,得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120 μm,出片率提升40%,單片成本降低約22%。

    激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果,該工藝的推廣,對于快速促進(jìn)8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程有著重要意義。不僅為SiC襯底產(chǎn)業(yè)帶來了輕資產(chǎn)、高效益的新模式,也為其他硬質(zhì)材料的加工提供了新的思路和方法,推動材料科學(xué)、激光技術(shù)等相關(guān)領(lǐng)域的進(jìn)步與發(fā)展。



    關(guān)鍵詞: 激光剝離 碳化硅

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