全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關(guān)特性，因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大功率的應(yīng)用領(lǐng)域被越來越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導(dǎo)體后道工序供應(yīng)商（OSAT）擁有豐富業(yè)績的日月新半導(dǎo)體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡稱“ATX”）。

為了實現(xiàn)無碳社會，“提高用電量占全球一大半的電源和電機的效率”已成為全球性的社會問題。功率元器件是提高其效率的關(guān)鍵，SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望進(jìn)一步提高各種電源的效率。ROHM于2023年4月將650V耐壓的第1代GaN HEMT投入量產(chǎn)，并于2023年7月將柵極驅(qū)動器和650V耐壓GaN HEMT一體化封裝的Power Stage IC投入量產(chǎn)。為了應(yīng)對大功率應(yīng)用中的進(jìn)一步小型、高效率化的市場要求，ROHM采取在以往的DFN8080封裝基礎(chǔ)上追加的形式來強化650V GaN HEMT的封裝陣容。在TOLL封裝中內(nèi)置第2代元件并實現(xiàn)產(chǎn)品化。

新產(chǎn)品在TOLL封裝內(nèi)置第2代GaN on Si芯片，在與導(dǎo)通電阻和輸入電容相關(guān)的器件性能指標(biāo) (RDS（ON）×Qoss*2) 方面，數(shù)值表現(xiàn)達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。這將有助于需要高耐壓且高速開關(guān)的電源系統(tǒng)進(jìn)一步節(jié)能和小型化。新產(chǎn)品已于2024年12月投入量產(chǎn)（樣品價格 3,000日元/個，不含稅），并已開始電商銷售，通過電商平臺均可購買。

關(guān)于新產(chǎn)品的量產(chǎn)，ROHM利用其在垂直統(tǒng)合型一體化生產(chǎn)體系中所積累的元器件設(shè)計技術(shù)和自有優(yōu)勢，進(jìn)行了相關(guān)的設(shè)計和規(guī)劃，并于2024年12月10日宣布作為與臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下簡稱“TSMC”）合作的一環(huán)，前道工序在TSMC生產(chǎn)，后道工序在ATX生產(chǎn)。另外，ROHM還計劃與ATX合作生產(chǎn)車載GaN器件。預(yù)計從2026年起，GaN器件在汽車領(lǐng)域的普及速度將會加快，ROHM計劃在加強內(nèi)部開發(fā)的同時，進(jìn)一步加深與這些合作伙伴之間的關(guān)系，以加快車載GaN器件投入市場的速度。

日月新半導(dǎo)體（威海）有限公司 董事兼總經(jīng)理 廖弘昌 表示：“ROHM擁有從晶圓制造到封裝的全部生產(chǎn)設(shè)備，并擁有非常先進(jìn)的制造技術(shù)，很高興ROHM將部分生產(chǎn)外包給我們。我們從2017年開始與ROHM進(jìn)行技術(shù)交流，目前正在繼續(xù)探索更深合作的可能性。ATX在GaN器件后道工序制造方面的實際業(yè)績和技術(shù)實力得到ROHM的認(rèn)可，從而促成了本次合作。雙方還計劃針對ROHM目前正在開發(fā)的車載GaN器件也開展合作，未來也會繼續(xù)加深雙方的合作伙伴關(guān)系，以促進(jìn)各領(lǐng)域的節(jié)能，為實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會做出貢獻(xiàn)。”

ROHM Co., Ltd.  AP生產(chǎn)本部 本部長 藤谷 諭 表示：“非常高興ROHM 的TOLL 封裝650V GaN HEMT能夠以令人滿意的性能投入量產(chǎn)。ROHM不僅提供GaN器件，還提供其與融入自身模擬技術(shù)優(yōu)勢的IC等元器件相結(jié)合的電源解決方案，而且還會再將這些設(shè)計過程中積累的專業(yè)知識和理念應(yīng)用到元器件的設(shè)計中。通過與ATX等技術(shù)實力雄厚的OSAT合作，ROHM不僅能夠跟上快速增長的GaN市場的步伐，同時還能不斷向市場推出融入ROHM優(yōu)勢的產(chǎn)品。未來，我們將繼續(xù)通過提高GaN器件的性能，促進(jìn)各種應(yīng)用產(chǎn)品的小型化和效率提升，為豐富人們的生活貢獻(xiàn)力量。”

＜什么是EcoGaN?＞ 

EcoGaN?是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產(chǎn)品有助于應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設(shè)計工時和元器件數(shù)量等。

?EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。

＜產(chǎn)品陣容＞

＜應(yīng)用示例＞

適用于服務(wù)器、AC適配器（USB充電器）、通信基站電源、工業(yè)設(shè)備電源、PV逆變器、ESS（Energy Storage System / 儲能系統(tǒng)）等輸出功率500W～1kW級的廣泛電源系統(tǒng)。

＜電商銷售信息＞

開始銷售時間：2025年1月起

新產(chǎn)品在電商平臺將逐步發(fā)售。

＜術(shù)語解說＞

*1) GaN HEMT

GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料。與普通的半導(dǎo)體材料——Si（硅）相比，具有更優(yōu)異的物理性能，目前，因其具有出色的高頻特性，越來越多的應(yīng)用開始采用這種材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫。

*2) RDS（ON）×Qoss

評估元器件性能的指標(biāo)，Qoss是指從輸出端看的漏極源極間的總電荷量。另外，RDS（ON）（導(dǎo)通電阻）是使MOSFET啟動（導(dǎo)通）時漏極和源極之間的電阻值。該值越小，運行時的損耗（電力損耗）越少。這兩者相乘得到的值越低，開關(guān)工作效率越高，開關(guān)損耗越少。