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            2025年將改變半導(dǎo)體行業(yè)的大趨勢

            作者: 時間:2025-02-07 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

            生成式人工智能 (AI) 是推動從芯片技術(shù)到軟件應(yīng)用等各方面發(fā)展的主要因素之一。它還改進了開發(fā)工作流程。這項技術(shù)的基礎(chǔ)是用于制造推動這場革命的電子產(chǎn)品的材料。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202502/466688.htm

            展望今年的發(fā)展前景,筆者與默克集團電子業(yè)務(wù)部門 EMD Electronics 分子間服務(wù)總裁 Ganesh Panaman 討論了推動半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的大趨勢。

            哪些大趨勢正在推動半導(dǎo)體行業(yè)恢復(fù)增長?

            自生成式人工智能出現(xiàn)以來,用戶見證了它的變革能力。對于半導(dǎo)體行業(yè)來說,它既帶來了挑戰(zhàn),也帶來了機遇?,F(xiàn)在,用戶可以利用人工智能和機器學(xué)習(xí)來識別和優(yōu)化更智能的材料,以提高效率。然而,人工智能解決方案需要更多的功率和存儲空間,這帶來了制造更小、更快、更強大的芯片的挑戰(zhàn)。

            隨著芯片變得越來越復(fù)雜,幾個原子將決定整個芯片的功能。我們需要新材料和增強當(dāng)前使用的材料,以實現(xiàn)更高性能的設(shè)備(圖 1)。

            圖 1AI 和其他數(shù)字解決方案需要更多的功率和存儲空間,這給制造更小、更快、更強大的芯片帶來了挑戰(zhàn)。因此,我們需要能夠?qū)崿F(xiàn)更高性能設(shè)備的新材料和工藝。

            此外,可穿戴設(shè)備已成為日常生活中的常態(tài),尤其是眼鏡。這些新設(shè)備需要更精簡的解決方案來支持 AR 和 VR(增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實)操作,新技術(shù)使這些操作可以在更小的設(shè)備內(nèi)運行。

            最后,全球關(guān)注可再生能源,可持續(xù)性正在推動對太陽能電池板、能源存儲系統(tǒng)和高效電源管理設(shè)備等應(yīng)用的需求。

            將人工智能推向邊緣(例如 AR 眼鏡、自動駕駛汽車的實時大量數(shù)據(jù)處理)不僅需要根據(jù)摩爾定律進行擴展,還需要替代架構(gòu)(例如神經(jīng)形態(tài)計算和量子計算)來超越功率和內(nèi)存的限制。鑒于生成式人工智能的成功,這一趨勢將以前所未有的方式加速。

            為什么半導(dǎo)體行業(yè)正處于「材料時代」?

            技術(shù)變革要求半導(dǎo)體行業(yè)重新考慮如何為下一代芯片設(shè)計材料。替代架構(gòu)、改進的性能以及對高帶寬內(nèi)存訪問的需求將需要傳統(tǒng)的擴展方法和新材料、異質(zhì)集成、先進封裝和設(shè)備設(shè)計以及材料協(xié)同優(yōu)化。多組分氧化物、硫族化物、透明導(dǎo)電氧化物、2D 材料和其他多組分合金在設(shè)備路線圖中變得越來越常見。

            為了進一步增強半導(dǎo)體器件的固有性能,越來越需要在更高的抽象層次上共同優(yōu)化器件和材料技術(shù)。這標志著材料研究方法論的一個轉(zhuǎn)折點(圖 2)。

            圖 2 隨著半導(dǎo)體設(shè)備變得越來越復(fù)雜,實現(xiàn)原子級精度變得越來越重要。

            傳統(tǒng)上,新材料的發(fā)現(xiàn)依賴于艱巨、反復(fù)且昂貴的實驗室合成和測試過程,涉及半導(dǎo)體制造商、工具制造商和材料供應(yīng)商。隨著人工智能將對半導(dǎo)體的需求推向前所未有的水平,這種模式面臨著挑戰(zhàn),需要滿足快速、共同優(yōu)化和高效引入和擴展新材料的需求。

            EMD Electronics 等材料供應(yīng)商處于引領(lǐng)這些創(chuàng)新努力的有利位置,可以加速增長,同時降低引入新材料帶來的風(fēng)險。

            材料智能涉及在原子和分子水平上對材料的科學(xué)理解和工程設(shè)計,以及集成數(shù)字技術(shù)以優(yōu)化材料特性、性能和制造工藝。

            通過將人工智能和機器學(xué)習(xí)算法應(yīng)用于這些數(shù)據(jù),EMD Electronics 可以預(yù)測各種條件下的材料行為,確定特定應(yīng)用的最佳材料成分,并提高制造效率。這種獨特的能力使得能夠在正確的地點、正確的時間生產(chǎn)出具有正確質(zhì)量的正確材料。

            材料將把其推動作用從前端擴展到價值鏈的其他創(chuàng)新熱點,例如異構(gòu)集成。半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)進入了一個摩爾定律受到挑戰(zhàn)的時代。對更快、更節(jié)能的計算的追求正在改變半導(dǎo)體行業(yè)。隨著我們從節(jié)點驅(qū)動轉(zhuǎn)向整個價值鏈的系統(tǒng)范圍方法,涉及進一步的多樣化和專業(yè)化,系統(tǒng)地尋求材料的下一個發(fā)展至關(guān)重要。

            如何實現(xiàn)芯片制造商的技術(shù)路線圖?

            EMD Electronics 正在開發(fā)先進材料和工藝,以推動半導(dǎo)體器件的不斷小型化。極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)的創(chuàng)新對于制造更小、更密集的晶體管至關(guān)重要。尖端光刻膠和圖案化解決方案的開發(fā)有助于形成精確的納米級圖案,這對于縮小器件幾何形狀至關(guān)重要。

            為了克服傳統(tǒng)平面縮放的局限性,垂直堆疊技術(shù)(例如 3D NAND 和背面電源通過硅通孔傳輸)變得越來越重要。先進的介電和金屬化解決方案可確保可靠、高效的垂直互連。蝕刻和沉積工藝的創(chuàng)新使多層結(jié)構(gòu)的精確構(gòu)建成為可能,從而在更小的占用空間內(nèi)實現(xiàn)更高的內(nèi)存密度和增強的性能。

            隨著半導(dǎo)體器件變得越來越復(fù)雜,實現(xiàn)原子級精度變得越來越重要。材料行業(yè)處于開發(fā)原子層沉積 (ALD) 和原子層蝕刻 (ALE) 技術(shù)的前沿,這些技術(shù)在原子尺度上提供了對材料特性和厚度的無與倫比的控制。這些技術(shù)對于制造具有出色均勻性和精度的超薄膜和界面至關(guān)重要,包括高縱橫比和地形挑戰(zhàn)性特征。

            此外,二維材料和量子點等新型材料的進步正在擴大設(shè)備復(fù)雜性和功能的可能性。

            這些創(chuàng)新共同推動芯片制造商推進其技術(shù)路線圖,在下一代半導(dǎo)體設(shè)備中實現(xiàn)更高的性能、更高的效率和新的功能。

            人工智能、機器學(xué)習(xí)和數(shù)據(jù)分析在材料智能新時代發(fā)揮著怎樣的作用?

            全球數(shù)據(jù)格局正在呈指數(shù)級增長,這為我們提供了前所未有的機會,能夠更深入地了解我們的生產(chǎn)流程和材料。然而,處理如此大量的數(shù)據(jù)本身就很復(fù)雜,這帶來了挑戰(zhàn),需要創(chuàng)新的解決方案。EMD Electronics 使用 AI 來開發(fā)能夠更高效地運行 AI 平臺的解決方案。

            隨著 QC 參數(shù)的數(shù)量不斷增加,不能固守幾十年前的過時數(shù)據(jù)分析方法。適應(yīng)和采用先進的分析方法對于控制相關(guān)參數(shù)和防止成本呈指數(shù)級增長至關(guān)重要??茖W(xué)家和工程師使用最先進的數(shù)字工具,結(jié)合 Intermolecular 服務(wù)的強大功能來推動現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展。

            通過利用先進的設(shè)備測試功能對設(shè)備和材料進行協(xié)同優(yōu)化,我們能夠充分利用人工智能在科學(xué)發(fā)現(xiàn)中的潛力。這推動了人工智能的進一步發(fā)展,并加速了各個領(lǐng)域的創(chuàng)新。

            通過研究不同材料、工藝和設(shè)備架構(gòu)之間的相互作用,可以在早期階段找到表現(xiàn)出卓越性能的解決方案。我們在 DRAM 電容器堆棧工程、ALE 和神經(jīng)啟發(fā)計算等領(lǐng)域的工作充分體現(xiàn)并展示了這種數(shù)字化轉(zhuǎn)型。

            利用快速發(fā)展的材料建模和發(fā)現(xiàn)數(shù)字工具,還可以擴大探索空間的廣度和深度,并有效地識別推動芯片制造商創(chuàng)新的新分子和集成解決方案。

            此外,加速材料創(chuàng)新需要獲取和處理大量數(shù)據(jù)的能力。此類過程需要量子計算和神經(jīng)形態(tài)計算等先進計算平臺來識別新型化學(xué)物質(zhì)和材料。

            這還需要高吞吐量和組合能力,以及快速制作原型和測試設(shè)備的能力,例如在分子間設(shè)施中擁有的設(shè)備。我們與 PsiQuantum 的合作是一個很好的例子,展示了我們?nèi)绾瓮ㄟ^開拓新材料實現(xiàn)量子計算的巨大改進。

            量子計算機規(guī)?;年P(guān)鍵部件是單光子探測器 (SPD)。這需要具有超導(dǎo)性的薄膜,且只能在極低溫度 (<10K) 下實現(xiàn),這使得系統(tǒng)規(guī)模化變得具有挑戰(zhàn)性。

            在 Intermolecular,我們成功識別出有前景的塊狀超導(dǎo)體,將其擴展為薄膜,并優(yōu)化堆棧。結(jié)果證明了創(chuàng)紀錄的 SPD 性能,我們將繼續(xù)創(chuàng)新,以證明這種第二代材料的臨界溫度有了顯著改善。



            關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體材料

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