Micron Technology 已開(kāi)始在新加坡建設(shè)其價(jià)值數(shù)十億美元的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 封裝設(shè)施。該公司將向該工廠投資 70 億美元，因?yàn)轭A(yù)計(jì)在 AI 熱潮中，未來(lái)幾年對(duì) HBM3E、HBM4 和 HBM4E 內(nèi)存的需求將猛增。該設(shè)施將于 2026 年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。

美光的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 封裝設(shè)施位于美光在新加坡現(xiàn)有的生產(chǎn) 3D NAND 和 DRAM 的晶圓廠旁邊。新的 HBM 裝配廠將于 2026 年投產(chǎn)，并計(jì)劃在 2027 年大幅提高產(chǎn)能。該設(shè)施將使用先進(jìn)的人工智能驅(qū)動(dòng)的自動(dòng)化來(lái)提高運(yùn)營(yíng)效率，但該公司沒(méi)有透露人工智能將在何處以及如何使用。

雖然美光憑借優(yōu)質(zhì) HBM3E 內(nèi)存引領(lǐng)行業(yè)，但在 HBM 市場(chǎng)份額方面，與三星和 SK 海力士相比，該公司仍處于劣勢(shì)。在某種程度上，這是由于美光沒(méi)有韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手那樣龐大的 DRAM 制造能力（而 HBM 內(nèi)存芯片比傳統(tǒng)內(nèi)存 IC 占用更多的容量）。然而，在某種程度上，這可以歸因于缺乏龐大的 HBM 組裝能力。

美光正在逐步增加其現(xiàn)有設(shè)施的 HBM3E 產(chǎn)量，希望在 2025 年年中搶占 20% 的 HBM 市場(chǎng)份額。然而，隨著新的新加坡組裝廠于 2026 年上線，該公司希望獲得更大的市場(chǎng)份額。

“隨著 AI 在各行各業(yè)的普及，對(duì)高級(jí)內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案的需求將繼續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，”美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示?！霸谛录悠抡某掷m(xù)支持下，我們對(duì) HBM 先進(jìn)封裝工廠的投資加強(qiáng)了我們應(yīng)對(duì)未來(lái)不斷擴(kuò)大的 AI 機(jī)會(huì)的地位?！?/p>

雖然新設(shè)施將為組裝 HBM 堆棧量身定制，但它也可用于組裝 3D NAND 封裝，因?yàn)楣柰?（TSV） 的組裝技術(shù)通常相似。

該項(xiàng)目最初將創(chuàng)造約 1,400 個(gè)工作崗位;擴(kuò)建可能會(huì)將這個(gè)數(shù)字增加到 3,000 人。這些角色將包括包裝開(kāi)發(fā)、組裝和測(cè)試操作。