據(jù)韓媒報道，近日，三星電子在其內(nèi)存業(yè)務部已完成HBM4內(nèi)存邏輯芯片的設計，且Foundry已根據(jù)該設計正式啟動了4nm制程的試生產(chǎn)。待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星電子將向客戶提供其開發(fā)的 HBM4 內(nèi)存樣品。

此前消息稱，除采用自家4nm工藝制造邏輯芯片外，三星電子還將在HBM4上導入1c nm制程DRAM Die，以提升產(chǎn)品能效表現(xiàn)，也方便在邏輯芯片中引入更豐富功能支持。