據(jù)報(bào)道，三星電子近期進(jìn)行了大規(guī)模人事調(diào)整，調(diào)派約2000名工程師至位于韓國平澤的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，旨在解決高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)。 然而，三星公司否認(rèn)了這些說法，稱其毫無根據(jù)。

韓國媒體指出，此次人事調(diào)整由三星設(shè)備解決方案（DS）部門執(zhí)行副總裁兼負(fù)責(zé)人Jun Young-hyun主導(dǎo)，旨在提升先進(jìn)DRAM工藝的良品率，并應(yīng)對三星在HBM領(lǐng)域的技術(shù)差距。 據(jù)悉，超過2000名來自三星器興和華城園區(qū)的工程師被重新分配至平澤工廠，以加強(qiáng)生產(chǎn)過程管理和產(chǎn)品質(zhì)量。 此次調(diào)整主要針對在從開發(fā)到量產(chǎn)過渡階段專注于優(yōu)化良品率的工程師。

三星正加速其平澤P4工廠的設(shè)備采購，預(yù)計(jì)將開始第六代10納米級DRAM（1c DRAM）的量產(chǎn)。 然而，三星的HBM3E產(chǎn)品據(jù)稱未能達(dá)到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，可能無法進(jìn)入英偉達(dá)的供應(yīng)鏈。 據(jù)報(bào)道，三星對未能滿足英偉達(dá)的HBM標(biāo)準(zhǔn)表示歉意，并對未來的突破表示樂觀。

此外，SK海力士計(jì)劃在2025年底前轉(zhuǎn)向3納米工藝生產(chǎn)HBM4產(chǎn)品，這可能會擴(kuò)大其與三星之間的技術(shù)差距。 三星正在探索使用3納米工藝生產(chǎn)HBM4芯片的可能性，以保持競爭力。

此次人事調(diào)整和戰(zhàn)略部署，體現(xiàn)了三星電子在人工智能和高性能計(jì)算領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)內(nèi)存解決方案的重視，以及其在全球半導(dǎo)體市場中保持競爭優(yōu)勢的決心。