意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。

工業(yè)級晶體管STL300N4F8和車規(guī)晶體管STL305N4F8AG的額定漏極電流高于300A，最大導通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應用中實現(xiàn)出色的能效。動態(tài)性能得到了改進，65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開關頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速反向恢復特性有助于提高系統(tǒng)的能效和可靠性。

有了新系列器件，設計人員可以利用意法半導體最新的 STripFET F8 技術為無線電動工具、工業(yè)生產(chǎn)工具等設備設計電源、電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動裝置。MOSFET 的能效可延長電池續(xù)航時間，降低耗散功率，準許應用系統(tǒng)在采用簡單的熱管理設計情況下持續(xù)輸出高功率，從而節(jié)省電路板空間，降低物料成本。車規(guī)器件的目標應用是整車電機驅(qū)動裝置和DC/DC轉(zhuǎn)換器，包括車身電子設備、底盤和動力總成。具體應用場景包括車窗升降器、座椅定位器、天窗開啟器、風扇和鼓風機、電動助力轉(zhuǎn)向、主動懸架和減排控制系統(tǒng)。

意法半導體的 STripFET F8 技術確保器件具有很高的穩(wěn)健性和更大的安全工作區(qū) (SOA)，能夠處理大功率，耐受大功率造成的漏源電壓 (VDS)大幅下降。此外，175°C 的最高工作結溫讓MOSFET適用于極端惡劣的工作環(huán)境。

此外，該技術可以縮減裸片尺寸，降低導通電阻RDS(on)，提高價格競爭力，采用尺寸緊湊的封裝。這兩款器件都采用節(jié)省空間的 PowerFLAT 5x6 封裝，同時還提供汽車工業(yè)要求的可潤濕側翼封裝。

STL300N4F8現(xiàn)已上市。