近日，由I.S.E.S國際半導體高管峰會參與主辦的“2024國際汽車半導體創(chuàng)新發(fā)展交流會”在無錫盛大舉行，瑞能半導體首席戰(zhàn)略及商務運營官沈鑫作為代表受邀出席。本次交流會匯聚了來自全球的汽車與半導體領域的頂尖專家和企業(yè)高管，旨在聚焦汽車電子、功率半導體以及智能網(wǎng)聯(lián)技術的前沿發(fā)展，共探全球汽車產(chǎn)業(yè)智能化與綠色轉型升級的新機遇。

大會伊始，無錫市政協(xié)副主席、惠山區(qū)委書記吳建元致歡迎辭，表達了對進一步推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的堅定決心。近年來，惠山區(qū)緊密圍繞產(chǎn)業(yè)升級和技術創(chuàng)新，著力打造汽車電子和集成電路產(chǎn)業(yè)集群，未來將繼續(xù)加大投入，推動產(chǎn)業(yè)邁向更高水平。國際半導體高管峰會(ISES)總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人Salah Nasri表示，“隨著新能源汽車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車的發(fā)展，半導體技術將在推動汽車行業(yè)變革中發(fā)揮不可或缺的作用，全球協(xié)同創(chuàng)新就是應對未來技術挑戰(zhàn)的關鍵。”

全新視野，“種子選手”鎖定轉型新機遇

瑞能半導體首席戰(zhàn)略及商務運營官沈鑫在現(xiàn)場就圍繞“高電壓SiC MOSFET用于可再生能源應用，具有更簡單的設計和更高的功率密度”進行了深度分享。他強調(diào)，“從汽車到可再生能源，碳化硅的一系列場景應用正在改變電力電子領域。瑞能半導體憑借敏銳的行業(yè)嗅覺，早已意識到這一技術的重要性正在與日俱增，已經(jīng)對碳化硅器件的開發(fā)和生產(chǎn)展開積極的布局?！?/p>

瑞能半導體首席戰(zhàn)略及商務運營官沈鑫

特別是在高壓電力電子系統(tǒng)中，與硅相比，碳化硅功率器件擁有更多的應用優(yōu)勢。碳化硅不僅能夠提供比現(xiàn)有硅技術更高的操作電壓、更寬的溫度范圍和更高的開關頻率，而且工作損耗降低帶來了效率提升，同時也減少了散熱需求，整體系統(tǒng)成本有望降低約30%。

事實上，瑞能半導體SiC MOSFET系列產(chǎn)品具有高擊穿電壓、低比導通RDSON、高熱導率和高結溫（Tj）高門極可靠性等特點，允許SiC MOSFET處理比相近規(guī)格的Si MOSFET高得多的電流和電壓，因此功率密度更高。這些優(yōu)勢可轉化為更低的功率變換損耗、更高的效率、更簡單的變換器拓撲結構以及更好的高溫性能。

應用場景優(yōu)勢下，尋求更大突破

當下，碳化硅器件作為第三代半導體，已成為被多個行業(yè)所共同追捧的創(chuàng)新技術。市場分析顯示，碳化硅市場正在蓬勃發(fā)展，預計到2028年市場規(guī)模將達到50億美元。

基于碳化硅廣泛的應用場景，瑞能半導體正積極致力于碳化硅器件的開發(fā)和生產(chǎn)。在去年，位于上海金山高新區(qū)的瑞能半導體全球首座模塊工廠正式投入運營，專門生產(chǎn)應用于消費、通訊、新能源以及汽車相關的各類型功率模塊及分立器件產(chǎn)品，串聯(lián)客戶和生態(tài)圈，積極推動行業(yè)高質量發(fā)展。

近年來，瑞能半導體尤其關注快速擴張的電動汽車市場，在碳化硅生產(chǎn)過程中，瑞能通過使用經(jīng)行業(yè)認證的代工廠，確保其車規(guī)半導體產(chǎn)品生產(chǎn)設施符合汽車行業(yè)的要求。為確保產(chǎn)品的可靠性和產(chǎn)品服務能力，瑞能還在運營自有的可靠性實驗室和故障分析中心，目前已經(jīng)通過了CNAS實驗室認證。

在產(chǎn)品和技術布局方面，瑞能半導體SiC  MOSFET產(chǎn)品系列：覆蓋電壓范圍650V~2200V、擁有極具競爭力的比導通電阻（RON,SP）和包括頂部散熱和模塊產(chǎn)品在內(nèi)的各種封裝類型，極大的拓寬了瑞能SiC 產(chǎn)品的應用范圍。特別需要指出的是，瑞能第二代SiC MOSFET擁有極強的短路能力，在18V和800V電壓下的短路耐受時間長達3.5uS，從而確保了可靠性，保證了足夠的短路保護時間，配合控制端采用多種靈活的短路保護策略可以有效避免了故障擴大化，確保器件應用安全。以上諸多特性非常適用于EV主逆變器和OBC等應用，有助于提升電動汽車效率和增加續(xù)航里程，同時最大程度確保應用安全。

此外，瑞能半導體的SiC MOSFET在推薦18V 驅動電壓以獲得更低的導通阻抗，突出設計經(jīng)濟型，同時提供15V柵極驅動電壓下的RDSON明確標注，確保兼容性，器件設計可確保此較低驅動電壓下正常工作，也便于應用到硅器件的設計架構中。瑞能SiC MOS產(chǎn)品的柵氧設計經(jīng)過特別的優(yōu)化和嚴格的可靠性驗證，HTGB測試條件范圍達到了-12V~24V，試驗前后Vth均未發(fā)生明顯漂移， 最大程度上保證了長期應用安全。

瑞能會持續(xù)深耕SiC領域，不斷挖掘SiC 器件潛力，拓展SiC產(chǎn)品類型和應用范圍，最大程度上服務市場需求，領導產(chǎn)業(yè)升級，持續(xù)為市場貢獻高性能，高可靠，多樣化的SiC產(chǎn)品選擇，為客戶和產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)造更大價值。

本次交流會匯聚全球行業(yè)專家及領先企業(yè)的技術分享與思想碰撞，瑞能半導體的受邀參與，不僅彰顯了瑞能在行業(yè)創(chuàng)新領域的領先地位，也進一步深化了其與廣大半導體制造商和設備制造商的交流與合作。未來，瑞能半導體將依托專業(yè)的技術和開發(fā)團隊，打造更多優(yōu)質產(chǎn)品，為客戶提供更多優(yōu)秀的解決方案，助推全球汽車半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與升級。

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關于瑞能半導體瑞能半導體專注于功率半導體領域，傳承逾50年的核心技術，全球銷售點遍布大中華區(qū)、歐洲、亞太及美洲，產(chǎn)品應用覆蓋智能家電，電動汽車，通訊工業(yè)等行業(yè)，為客戶在各自細分行業(yè)提供可靠專業(yè)的技術支持。瑞能半導體掌握獨立的功率半導體技術，憑借優(yōu)異的品質和性能，其產(chǎn)品已被全球眾多知名企業(yè)驗證并使用。