TrendForce指出，隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)處高成長(zhǎng)階段，平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴(kuò)張，營(yíng)收貢獻(xiàn)將逐季上揚(yáng)。

TrendForce指出，HBM市場(chǎng)仍處于高成長(zhǎng)階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級(jí)下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動(dòng)HBM規(guī)格容量上升。

如NVIDIA Blackwell平臺(tái)將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。

由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著改善空間，推高整體生產(chǎn)成本，平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴(kuò)張，對(duì)三星、SK海力士及美光等DRAM廠商的營(yíng)收貢獻(xiàn)，將逐季上揚(yáng)。

在NAND Flash后市部分，TrendForce指出，NAND Flash供貨商經(jīng)歷2023年的巨額虧損后，資本支出轉(zhuǎn)趨保守。同時(shí)，DRAM和HBM等內(nèi)存產(chǎn)品需求，受惠AI浪潮的帶動(dòng)，將排擠2025年NAND Flash的設(shè)備投資，使得過去嚴(yán)重供過于求的市況，將有所緩解。

隨著AI技術(shù)快速發(fā)展，NAND Flash市場(chǎng)正經(jīng)歷前所未有的變革。AI應(yīng)用對(duì)高速、大容量?jī)?chǔ)存的需求日益增加，長(zhǎng)期而言，將推動(dòng)enterprise SSD（eSSD）市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展。